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Chapter 5: Electronic Devices - Complementary HFETs on GaAs with 0.2 mm gate length
Online Contents | 1999|Beteiligte: Thiede, A. -
Lateraler und vertikaler elektrischer Transport in Halbleiterheterostruktur-Bauelementen mit 2D-Elektronengasen
Freier ZugriffBASE | 1996| -
Experimental realization of a two-dimensional to two-dimensional tunnel transistor
Online Contents | 1996| -
DX centres, conduction band offsets and Si-dopant segregation in AlxGa1 - xAs-GaAs heterostructures
Online Contents | 1996|Beteiligte: Förster, A. -
Lateraler und vertikaler elektrischer Transport in Halbleiterheterostruktur-Bauelementen mit 2D-Elektronengasen
British Library Online Contents | 1996| -
Broadband High-Power W-Band Amplifier MMICs Based on Stacked-HEMT Unit Cells
British Library Online Contents | 2018| -
Molecular beam epitaxial growth of metamorphic AlInSb/GaInSb high-electron-mobility-transistor structures on GaAs substrates for low power and high frequency applications
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2011| -
A D‐Band Balanced Subharmonically‐Pumped Resistive Mixer Based on 100‐nm mHEMT Technology
Freier ZugriffWiley | 2011| -
Multibias scalable HEMT small-signal modeling based on a hybrid direct extraction/particle swarm optimization approach
British Library Online Contents | 2012| -
(Invited) III-V Integration on Silicon for Resource-Efficient Sensor-Technology
British Library Conference Proceedings | 2023| -
Complex interaction of passive multiport structures and their description by separate discrete models
Freier ZugriffIET | 2016| -
Complex interaction of passive multiport structures and their description by separate discrete models
British Library Online Contents | 2016|
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