Erscheinungsjahr
Medientyp
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Semiconductor Devices, Materials, and Processing - Chemical-Structural Nanocharacterization and Electrical Properties of ALD-Grown La2O3-Si Interfaces for Advanced Gate Stacks
Online Contents | 2009|Beteiligte: Miao, S. -
Combining HRTEM–EELS nano-analysis with capacitance–voltage measurements to evaluate high-κ thin films deposited on Si and Ge as candidate for future gate dielectrics
Online Contents | 2011|Beteiligte: Baldovino, S. -
Contamination and the quantitative exploitation of EELS low-loss experiments
Online Contents | 2001| -
Study of the dielectric properties near the band gap by VEELS: gap measurement in bulk materials
Online Contents | 2003| -
Calculated and experimental electron energy-loss spectra of , , and LaOF nanophases in high permittivity lanthanum-based oxide layers
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2011| -
Study of the dielectric properties near the band gap by VEELS: gap measurement in bulk materials
British Library Online Contents | 2003| -
Study of the dielectric properties near the band gap by VEELS: gap measurement in bulk materials
British Library Conference Proceedings | 2003| -
The energy band alignment of Si nanocrystals in SiO2
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2011| -
HRTEM-EELS study of atomic layer deposited thin rare earth oxide films for advanced microelectronic devices
British Library Conference Proceedings | 2008| -
Calculated and experimental electron energy-loss spectra of La~2O~3, La(OH)~3, and LaOF nanophases in high permittivity lanthanum-based oxide layers (3 pages)
British Library Online Contents | 2011| -
Study of the dielectric properties near the band gap by VEELS: gap measurement in bulk materials
NationallizenzElsevier | 2002| -
Contamination and the quantitative exploitation of EELS low-loss experiments
British Library Online Contents | 2001|
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