Einfluss der Ladungsträgerdynamik auf die Spinrelaxation in GaAs (Deutsch)

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Lonnemann, Jan Gerrit / Gottfried Wilhelm Leibniz Universität Hannover

2017

Hochschulschrift / Elektronische Ressource

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Spinrelaxation, Transportmechanismen, Galliumarsenid. - Spin relaxation, transport properties, gallium arsenide

Titel:

Einfluss der Ladungsträgerdynamik auf die Spinrelaxation in GaAs
Autor / Urheber:

Lonnemann, Jan Gerrit / Gottfried Wilhelm Leibniz Universität Hannover
Sonstige Beteiligte:

Oestreich, Michael (AkademischeR BetreuerIn) / Haug, Rolf (AkademischeR BetreuerIn)
Hochschulschrift:

Dissertation, Gottfried Wilhelm Leibniz Universität Hannover; 2017
Erscheinungsort:

Hannover
Erscheinungsdatum:

2017
Format / Umfang:

1 Online-Ressource (212 Seiten, 11,2 MB)
Anmerkungen:

Illustrationen, Diagramme
Langzeitarchivierung durch Technische Informationsbibliothek (TIB) / Leibniz-Informationszentrum Technik und Naturwissenschaften und Universitätsbibliothek
Weitere Ausgaben:

Druck-Ausgabe: Einfluss der Ladungsträgerdynamik auf die Spinrelaxation in GaAs
Medientyp:

Hochschulschrift
Format:

Elektronische Ressource
Sprache:

Deutsch

Schlagwörter:

Transportprozess, Metall-Isolator-Phasenumwandlung, Galliumarsenid, Spinrelaxation, Dotierung, Tunneleffekt, Lokalisation, Hyperfeinwechselwirkung, Tieftemperatur, Spin-Bahn-Wechselwirkung

Klassifikation:

BKL:		33.38 Quantenoptik, nichtlineare Optik / 33.75 Magnetische Materialien / 33.72 Halbleiterphysik
DDC:		530

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