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Highly integrated gate drivers for Si and GaN power transistors (Englisch)
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2020
- Hochschulschrift / Print
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Titel:Highly integrated gate drivers for Si and GaN power transistors
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Beteiligte:Seidel, Achim (Autor:in) / Wicht, Bernhard (Akademische:r Betreuer:in) / Allard, Bruno (Akademische:r Betreuer:in) / Gottfried Wilhelm Leibniz Universität Hannover (Grad-verleihende Institution)
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Hochschulschrift:Dissertation, Gottfried Wilhelm Leibniz Universität Hannover; 2019
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Erscheinungsort:Hannover
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Erscheinungsdatum:2020
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Format / Umfang:XIII, 152 Seiten
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Anmerkungen:Illustrationen, Diagramme
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Medientyp:Hochschulschrift
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Format:Print
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Sprache:Englisch
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-
Klassifikation:
BKL: 53.51 Bauelemente der Elektronik -
Datenquelle:
