1.1K GATE SOCMOS GATE ARRAY FABRICATED BY LASER RECRYSTALLIZATION TECHNIQUE (Japanisch)
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In:
Handōtai, Shūseki Kairo Gijutsu Dai 28kai Shinpojiumu
; 1-6
;
1985
- Aufsatz (Konferenz) / Print
-
Titel:1.1K GATE SOCMOS GATE ARRAY FABRICATED BY LASER RECRYSTALLIZATION TECHNIQUE
-
Beteiligte:Kusunoki, S. ( Autor:in ) / Sakashita, K. ( Autor:in ) / Nishimura, T. ( Autor:in ) / Akasaka, Y. ( Autor:in )
-
Kongress:Handōtai, Shūseki Kairo Gijutsu Shinpojiumu ; 28. ; 1985 ; Tokio
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Erschienen in:
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Verlag:
- Neue Suche nach: Shadan Hōjin Denki Kagaku Kyōkai Denshi Zairyō Iinkai
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Erscheinungsort:Tōkyō
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Erscheinungsdatum:1985
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Medientyp:Aufsatz (Konferenz)
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Format:Print
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Sprache:Japanisch
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- Weitere Informationen zu Basisklassifikation
-
Schlagwörter:
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Klassifikation:
BKL: 53.56 Halbleitertechnologie -
Datenquelle:
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