High growth rate 4H-SiC epitaxial growth using dichlorosilane in a hot-wall CVD reactor (Englisch)
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2010
- Preprint / Elektronische Ressource
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Titel:High growth rate 4H-SiC epitaxial growth using dichlorosilane in a hot-wall CVD reactor
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Beteiligte:Chowdhury, Iftekhar ( Autor:in ) / Chandrasekhar, MVS ( Autor:in ) / Klein, Paul B ( Autor:in ) / Caldwell, Joshua D. ( Autor:in ) / Sudarshan, Tangali ( Autor:in )
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Verlag:
- Neue Suche nach: arXiv
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Erscheinungsdatum:2010
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DOI:
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Medientyp:Preprint
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Format:Elektronische Ressource
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Sprache:Englisch
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Lizenzbestimmungen:
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Datenquelle: