Procedimiento para fabricar, por lo menos, una capa de absorción (130) para dispositivos fotovoltaicos de película delgada (100), cuya capa de absorción (130) está fabricada de un material de calcogenuro ABC, incluyendo variantes cuaternarias, pentanarias o multinarias del material de calcogenuro ABC, en que A representa elementos del grupo (11) de la tabla periódica de los elementos químicos definida por la Unión Internacional de Química Pura y Aplicada, incluyendo Cu y Ag, B representa elementos del grupo (13) de la tabla periódica incluyendo In, Ga y Al, y C representa elementos del grupo (16) de la tabla periódica incluyendo S, Se y Te, en las que dicha capa de absorción (130) está depositada sobre una capa de contacto posterior (120) soportada por un sustrato (110), comprendiendo dicho procedimiento las siguientes etapas secuenciales (s1) a (s5), en el que las dos etapas (s3,r) y (s4,r) se ejecutan, por lo menos, una vez y se pueden repetir secuencialmente desde cero hasta un número R de veces, en que r es un índice de contaje de repetición que tiene un valor de 0 a R que identifica las sucesivas etapas (s3,r) y (s4,r), y en que la temperatura del sustrato (110) desde las etapas (s2) a (s5) es mayor que 350°C: (s1). depositar, por lo menos, un elemento B sobre la capa de contacto posterior (120) de dicho sustrato (110) en una cantidad mayor que el 10% y menor que el 90% de la cantidad total de elementos B requeridos al final del proceso de deposición, realizándose dicha deposición en presencia de, por lo menos, un elemento C; (s2). depositar una cantidad inicial de, por lo menos, un elemento A en combinación con, por lo menos, un elemento B y en presencia de, por lo menos, un elemento C, con una relación Ar/Br de las velocidades de deposición atómicas de los elementos A y B, tal que: - Ar/Br > 1, y - la relación atómica A/B de los elementos A y B depositados totales hasta el final de la etapa (s2) es:**Fórmula** (s3,r). depositar, por lo menos, un elemento A en combinación, por lo menos, con un elemento B y en presencia, por lo menos, de un elemento C, con una relación Ar/Br de las velocidades de deposición atómicas de los elementos A y B, tal que: - Ar/Br es menor que 1/1,2 veces Ar/Br de la etapa anterior, y - la relación atómica A/B de los elementos A y B depositados totales hasta el final de la etapa (s3,r) es:**Fórmula** (s4,r). depositar, por lo menos, un elemento A en combinación, por lo menos, con un elemento B y en presencia, por lo menos, de un elemento C, con una relación Ar/Br de las velocidades de deposición atómicas de los elementos A y B, tal que: - Ar/Br es, por lo menos, 1,2 veces mayor que Ar/Br de la etapa anterior, y - la relación atómica A/B de los elementos A y B depositados totales hasta el final de la etapa (s4,r) es:**Fórmula** (s5). depositar una cantidad inicial, por lo menos, de un elemento B en presencia, por lo menos, de un elemento C sobre la capa de absorción parcialmente completada (130), cambiando de ese modo la relación atómica A/B de los elementos A y B depositados totales hasta el final de la etapas (s5) a:**Fórmula**
A thin-film photovoltaic device (100) comprising a flexible substrate (110) and an absorber layer (130), wherein said absorber layer (130) is made of an ABC chalcogenide material, including ABC chalcogenide material quaternary, pentanary, or multinary variations, wherein A represents elements in group 11 of the periodic table of chemical elements as defined by the International Union of Pure and Applied Chemistry including Cu and Ag, B represents elements in group 13 of the periodic table including In, Ga and Al, and C represents elements in group 16 of the periodic table including S, Se and Te, wherein said ABC chalcogenide material comprises In and Ga elements, characterized in that a compositional analysis of smoothed Ga / (Ga + In) ratio data across the thickness of said absorber layer forms a Ga / (Ga + In) ratio curve (500) in which, starting from a light-exposed side of said absorber layer, said Ga / (Ga + In) ratio curve (500) comprises at least two regions (501, 502) comprising: a. a front grading region (501) of decreasing Ga / (Ga + In) ratio where a light-exposed side of said front grading region has a Ga / (Ga + In) value that is less than 0.5 and where the amplitude of the Ga / (Ga + In) value in said front grading region is less than 0.25 and greater than 0.1; b. a back grading region (502), adjacent to said front grading region (501) and located between said front grading region (501) and the back side of the absorber layer opposite the light-exposed side, of overall increasing Ga / (Ga + In) ratio where: i. over the light-exposed half side of said back grading region (502) the value of Ga / (Ga + In) increases by less than 0.20.