FinFET device having oxide region between vertical fin structures (Englisch)
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2019
- Patent / Elektronische Ressource
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Titel:FinFET device having oxide region between vertical fin structures
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Patentnummer:US10522416
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Patentanmelder:
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Patentfamilie:
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Beteiligte:CHING KUO-CHENG ( Autor:in ) / LEUNG YING-KEUNG ( Autor:in )
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Verlag:
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Erscheinungsdatum:31.12.2019
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Medientyp:Patent
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Format:Elektronische Ressource
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Sprache:Englisch
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Klassifikation:
IPC: H01L Halbleiterbauelemente, SEMICONDUCTOR DEVICES -
Datenquelle: