Conclusion (Englisch)
- Neue Suche nach: Seidel, Achim
- Neue Suche nach: Wicht, Bernhard
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- Neue Suche nach: Wicht, Bernhard
In:
Highly Integrated Gate Drivers for Si and GaN Power Transistors
;
Kapitel: 7
;
117-120
;
2021
- Aufsatz/Kapitel (Buch) / Elektronische Ressource
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Titel:Conclusion
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Beteiligte:Seidel, Achim ( Autor:in ) / Wicht, Bernhard ( Autor:in )
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Erschienen in:Highly Integrated Gate Drivers for Si and GaN Power Transistors ; Kapitel: 7 ; 117-120
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Verlag:
- Neue Suche nach: Springer International Publishing
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Erscheinungsort:Cham
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Erscheinungsdatum:01.04.2021
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Format / Umfang:4 pages
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ISBN:
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DOI:
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Medientyp:Aufsatz/Kapitel (Buch)
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Format:Elektronische Ressource
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Sprache:Englisch
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Schlagwörter:Power electronics application , Integrated gate driver , Integrated circuit (IC) , Wide-bandgap material , Gallium nitride , GaN transistor , Bipolar gate voltage , Three-level gate voltage , Large gate loop , Resonant gate driver , Buffer capacitor , Stabilization capacitor , Bootstrap capacitor , Bootstrap circuit , High-voltage energy storing (HVES) , High-voltage charge storing (HVCS) , Fast switching , losses , Efficiency
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Datenquelle:
Inhaltsverzeichnis E-Book
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- 1
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IntroductionSeidel, Achim / Wicht, Bernhard et al. | 2021
- 2
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FundamentalsSeidel, Achim / Wicht, Bernhard et al. | 2021
- 3
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Gate Drivers Based on High-Voltage Charge Storing (HVCS)Seidel, Achim / Wicht, Bernhard et al. | 2021
- 4
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Gate Drivers Based on High-Voltage Energy Storing (HVES)Seidel, Achim / Wicht, Bernhard et al. | 2021
- 5
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Gate Drivers for Large Gate Loops Based on HVESSeidel, Achim / Wicht, Bernhard et al. | 2021
- 6
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Outlook and Future WorkSeidel, Achim / Wicht, Bernhard et al. | 2021
- 7
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ConclusionSeidel, Achim / Wicht, Bernhard et al. | 2021