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Bulk samples of V3(Si(1-x)C(x)), with x varying from 0 to 0.4, are made and their superconducting transition temperatures measured. The replacement of some of the silicon by carbon causes a uniform decrease in Tc from 16.8 to about 11 K; no increase to above 20 K, as reported by Ilonca and Barbec in thin vapour-deposited films, is observed. The carbon additions introduces a second phase into the microstructure in addition to the V3Si A15 phase. This second phase is tentatively identified as hexagonal gamma vanadium carbide.