AlGaN/GaN high electron mobility transistors and diodes fabricated on large area silicon on poly-SiC (SopSiC) substrates for lower cost and higher yield (Englisch)
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In:
CS MANTECH, International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology, 22
;
137-140
;
2007
-
ISBN:
- Aufsatz (Konferenz) / Print
-
Titel:AlGaN/GaN high electron mobility transistors and diodes fabricated on large area silicon on poly-SiC (SopSiC) substrates for lower cost and higher yield
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Weitere Titelangaben:Herstellung von Transistoren mit hoher Elektronenbeweglichkeit und Dioden aus AlGaN/GaN auf großflächigen Silicium-auf-poly-SiC-Substraten (SopSiC) mit geringen Kosten und hoher Ausbeute
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Beteiligte:Anderson, T.J. ( Autor:in ) / Ren, F. ( Autor:in ) / Voss, L. ( Autor:in ) / Hlad, M. ( Autor:in ) / Gila, B.P. ( Autor:in ) / Pearton, S.J. ( Autor:in ) / Kim, J. ( Autor:in ) / Lin, J. ( Autor:in ) / Bove, P. ( Autor:in ) / Lahreche, H. ( Autor:in )
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Erschienen in:
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Verlag:
- Neue Suche nach: GaAs MANTECH
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Erscheinungsort:St. Louis
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Erscheinungsdatum:2007
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Format / Umfang:4 Seiten, 7 Bilder, 26 Quellen
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ISBN:
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Medientyp:Aufsatz (Konferenz)
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Format:Print
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Sprache:Englisch
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Schlagwörter:
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Datenquelle:
Inhaltsverzeichnis Konferenzband
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