High threshold uniformity, millimeter-wave p(+)-GaInAs/n-AlInAs/GaInAs JHEMT's (Englisch)
- Neue Suche nach: Shealy, J.B.
- Neue Suche nach: Liu, T.Y.
- Neue Suche nach: Thompson, M.A.
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- Neue Suche nach: Nguyen, L.D.
- Neue Suche nach: Mishra, U.K.
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- Neue Suche nach: Liu, T.Y.
- Neue Suche nach: Thompson, M.A.
- Neue Suche nach: Wilson, R.G.
- Neue Suche nach: Nguyen, L.D.
- Neue Suche nach: Mishra, U.K.
In:
Electron Device Letters (IEEE)
;
16
, 12
;
560-562
;
1995
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ISSN:
- Aufsatz (Zeitschrift) / Print
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Titel:High threshold uniformity, millimeter-wave p(+)-GaInAs/n-AlInAs/GaInAs JHEMT's
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Weitere Titelangaben:Millimeterwellen-p(+)-GaInAs/n-AlInAs/GaInAs-JHEMTs mit hoher Gleichförmigkeit der Schwellenspannung
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Beteiligte:Shealy, J.B. ( Autor:in ) / Liu, T.Y. ( Autor:in ) / Thompson, M.A. ( Autor:in ) / Wilson, R.G. ( Autor:in ) / Nguyen, L.D. ( Autor:in ) / Mishra, U.K. ( Autor:in )
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Erschienen in:Electron Device Letters (IEEE) ; 16, 12 ; 560-562
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Verlag:
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Erscheinungsdatum:1995
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Format / Umfang:3 Seiten, 5 Bilder, 10 Quellen
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ISSN:
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Coden:
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DOI:
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Medientyp:Aufsatz (Zeitschrift)
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Format:Print
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Sprache:Englisch
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Schlagwörter:
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Datenquelle:
Inhaltsverzeichnis – Band 16, Ausgabe 12
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Effect of wafer temperature on plasma charging induced damage to MOS gate oxideMa, S. / McVittie, J.P. / Saraswat, K.C. et al. | 1995
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Effects of wafer temperature on plasma charging induced damage to MOS gate oxideShawming Ma, / McVittie, J.P. / Saraswat, K.C. et al. | 1995
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Backgating in Pseudomorphic In~0~.~1~5Ga~0~.~8~5As/Al~0~.~2~5Ga~0~.~7~5As MODFET's with a GaAs:Er Buffer LayerSethi, S. / Mansfield, J. / Bhattacharya, P. K. et al. | 1995
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Backgating in pseudomorphic In/sub 0.15/Ga/sub 0.85/As/Al/sub 0.25/Ga/sub 0.75/As MODFET's with a GaAs:Er buffer layerSethi, S. / Mansfield, J. / Bhattacharya, P.K. et al. | 1995
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High-speed, low-noise InGaP/GaAs heterojunction bipolar transistorsFresina, M.T. / Ahmari, D.A. / Mares, P.J. / Hartmann, Q.J. / Feng, M. / Stillman, G.E. et al. | 1995
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Subthreshold kinks in fully depleted SOI MOSFET'sFossum, J.G. / Krishnan, S. / Faynot, O. / Cristoloveanu, S. / Raynaud, C. et al. | 1995
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Frequency doubling in GaAs/AlGaAs field effect transistor using real space transferKoscica, T.E. / Zhao, J.H. et al. | 1995
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Influence of impact ionization on the drain conductance in InAs-AlSb quantum well heterostructure field-effect transistorsBrar, B. / Kroemer, H. et al. | 1995
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Junction temperature dependence of high-frequency noise in heterojunction bipolar transistorsJahan, M.M. / Anwar, A.F.M. et al. | 1995
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Performance of interface engineered SiNx/ICL/InP/In/sub 0.53/Ga/sub 0.47/As/InP doped channel HIGFET'sSundararaman, C.S. / Currie, J.F. et al. | 1995
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Resonant interband tunneling FETTehrani, S. / Shen, J. / Goronkin, H. / Kramer, G. / Tsui, R. / Zhu, T.X. et al. | 1995
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High Threshold Uniformity, Millimeter-Wave p^+-GaInAs/n-AlInAs/GaInAs JHEMT'sShealy, J. B. / Liu, T. Y. / Thompson, M. A. / Wilson, R. G. / Nguyen, L. D. / Mishra, U. K. et al. | 1995
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High threshold uniformity, millimeter-wave p/sup +/-GaInAs/n-AlInAs/GaInAs JHEMTsShealy, J.B. / Liu, T.Y. / Thompson, M.A. / Wilson, R.G. / Nguyen, L.D. / Mishra, U.K. et al. | 1995
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DC and RF Performance of LP-MOCVD Grown Al~0~.~2~5Ga~0~.~7~5As/In~x Ga~1~-~xAs (x = 0.15-0.28) P-HEMT's with Si-Delta Doped GaAs LayerJeon, Y.-J. / Jeong, Y.-H. / Kim, B. / Kim, Y.-G. / Hong, W.-P. / Lee, M.-S. et al. | 1995
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DC and RF performance of LP-MOCVD grown Al/sub 0.25/Ga/sub 0.75/As/In/sub x/Ga/sub 1-x/As (x=0.15-0.28) P-HEMT's with Si-delta doped GaAs layerYoung-Jin Jeon, / Yoon-Ha Jeong, / Bumman Kim, / Young-Gi Kim, / Won-Pyo Hong, / Myung-Sung Lee, et al. | 1995
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Structural effect on band-trap-band tunneling induced drain leakage in n-MOSFET'sTahui Wang, / Chang, T.E. / Huang, C.M. / Yang, J.Y. / Chang, K.M. / Chiang, L.P. et al. | 1995