Effects of growth temperature and V/III ratio on MOCVD-grown GaAs-on Si (Englisch)
- Neue Suche nach: Nozaki, S.
- Neue Suche nach: Noto, N.
- Neue Suche nach: Egawa, T.
- Neue Suche nach: Wu, A.T.
- Neue Suche nach: Soga, T.
- Neue Suche nach: Jimbo, T.
- Neue Suche nach: Umeno, M.
- Neue Suche nach: Nozaki, S.
- Neue Suche nach: Noto, N.
- Neue Suche nach: Egawa, T.
- Neue Suche nach: Wu, A.T.
- Neue Suche nach: Soga, T.
- Neue Suche nach: Jimbo, T.
- Neue Suche nach: Umeno, M.
In:
Japanese Journal of Applied Physics, Part 1
;
29
, 1
;
138-144
;
1990
- Aufsatz (Zeitschrift) / Print
-
Titel:Effects of growth temperature and V/III ratio on MOCVD-grown GaAs-on Si
-
Weitere Titelangaben:Der Einfluß der Wachstumstemperatur und des Drei-Fünf-Verhältnisses auf MOCVD-gewachsenes GaAs auf Si
-
Beteiligte:
-
Erschienen in:Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 ; 29, 1 ; 138-144
-
Verlag:
-
Erscheinungsdatum:1990
-
Format / Umfang:7 Seiten, 9 Quellen
-
DOI:
-
Medientyp:Aufsatz (Zeitschrift)
-
Format:Print
-
Sprache:Englisch
-
Schlagwörter:GALLIUMARSENID , EINFLUSSGROESSE , TEMPERATURGANG , OBERFLAECHENTEMPERATUR , SUBSTRATTEMPERATUR , HALBLEITERSUBSTRAT , TRAEGERMATERIAL , SILICIUM , METALLORGANISCHE GASPHASENABSCHEIDUNG , HALBLEITERSCHICHT , EPITAXIALSCHICHT , SCHICHTWACHSTUM , EPITAXIALWACHSTUM , TOPOGRAPHIE , OBERFLAECHENGUETE , MORPHOLOGIE , OBERFLAECHENSTRUKTUR , REINHEIT , CVD-BESCHICHTUNG , HALBLEITEREPITAXIALSCHICHT , OBERFLAECHENTOPOGRAPHIE , HALBLEITERWERKSTOFF , WACHSTUMSTEMPERATUR , KRISTALLINITAET
-
Datenquelle: