Initial growth mechanism for GaAs and GaP on Si substrate by metalorganic chemical vapor deposition (Englisch)
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In:
Japanese Journal of Applied Physics, Part 1
;
30
, 12A
;
3471-3474
;
1991
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ISSN:
- Aufsatz (Zeitschrift) / Print
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Titel:Initial growth mechanism for GaAs and GaP on Si substrate by metalorganic chemical vapor deposition
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Weitere Titelangaben:Der anfängliche Wachstumsmechanismus für GaAs und GaP auf Si-Substraten durch metallorganische Gasphasenabscheidung
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Beteiligte:
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Erschienen in:Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 ; 30, 12A ; 3471-3474
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Verlag:
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Erscheinungsdatum:1991
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Format / Umfang:4 Seiten, 12 Quellen
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ISSN:
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DOI:
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Medientyp:Aufsatz (Zeitschrift)
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Format:Print
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Sprache:Englisch
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Schlagwörter:EPITAXIALWACHSTUM , GALLIUMARSENID , GALLIUMPHOSPHID , HALBLEITERSUBSTRAT , SILICIUM , METALLORGANISCHE GASPHASENABSCHEIDUNG , METALLORGANISCHE GASPHASENEPITAXIE , VERSUCHSERGEBNIS , SCHICHTWACHSTUM , HALBLEITERSCHICHT , EPITAXIALSCHICHT , MEHRDIMENSIONALE STRUKTUR , STOERSTELLENDICHTE , EPITAXIE , KRISTALLWACHSTUM , SUBSTRAT , EXPERIMENTELLE UNTERSUCHUNG , GALLIUM , ARSENID , GALLIUMVERBINDUNG , HALBLEITEREPITAXIALSCHICHT , HALBLEITERWACHSTUM , ATMOSPHAERISCHER-DRUCK , SI SUBSTRAT
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Datenquelle:
Inhaltsverzeichnis – Band 30, Ausgabe 12A
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Low-temperature microwave plasma etching of crystalline siliconTsujimoto, K. / Okudaira, S. / Tachi, S. et al. | 1991
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Galvanomagnetic behavior of hot electrons in semi-insulating GaAsHirohata, T. / Suzuki, T. / Nakajima, K. / Mizushima, Y. et al. | 1991
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Effect of substrate off-orientation on GaAs/CaF2/Si(111) structure with rotational twinMizukami, H. / Tsutsui, K. / Furukawa, S. et al. | 1991
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Investigation of heat-treating conditions for silver-sheathed Bi2212 superconducting coilsShibutani, K. / Egi, T. / Hayashi, S. / Ogawa, R. / Kawate, Y. et al. | 1991
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Fabrication of 780-nm AlGaAs tunable distributed Bragg reflector laser diodes by using compositional disordering of a quantum wellHirata, T. / Suehiro, M. / Maeda, M. / Hihara, M. / Yamada, N. / Hosomatsu, H. et al. | 1991
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Proposal of slope estimation method II making possible the accurate evaluation of energy depth of carrier traps from partial region of thermally stimulated current curvesTanaka, M. / Tsuru, A. / Maeta, S. et al. | 1991
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Memory effects in nematic liquid crystals by a surface molecular reorientationNose, T. / Masuda, S. / Sato, S. et al. | 1991
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Initial growth mechanism for GaAs and GaP on Si substrate by metalorganic chemical vapor depositionSoga, T. / George, T. / Jimbo, T. / Umeno, M. et al. | 1991
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Fundamental features of plasma impedance in planar radio-frequency dischargesNonaka, S. et al. | 1991
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X-ray color movie using a charge-coupled device with a direct X-ray detection methodTsunemi, H. / Wada, M. / Hayashida, K. / Kwai, S. et al. | 1991
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Confirmation of the correlation between the electrical hysteresis and silicon dangling bond density in silicon nitride by UV irradiation of nearly hysteresis free metal-nitride-silicon capacitorsLau, W.S. / Goo, C.H. et al. | 1991
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High-power GaN P-N junction blue-light-emitting diodesNakamura, S. / Mukai, T. / Senoh, M. et al. | 1991
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Vapor phase homo- and heteroepitaxies of ZnSe filmsMuranoi, T. et al. | 1991
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Si metal insulator semiconductor tunnel emitter transistor (Si MIS TET)Yoshimoto, T. / Matsumoto, K. / Sakamoto, K. / Sakata, T. et al. | 1991
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Fabrication of metal-insulator-semiconductor devices using polycrystalline diamond filmKiyota, H. / Okano, K. / Iwasaki, T. / Izumiya, H. / Akiba, Y. / Kurosu, T. / Iida, M. et al. | 1991
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Resonant tunnelling in a novel coupled-quantum-well base transistorWaho, T. / Maezawa, K. / Mizutani, T. et al. | 1991
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Lasers without inversion in microcavitiesYamamoto, Y. et al. | 1991
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Subpicosecond photon echo quantum beats in a dye-doped polymerNakanishi, S. / Itoh, H. et al. | 1991
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