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Erforschung einer MOCVD-Technologie für die industrielle Herstellung von GaN-basierten Hochspannungsbauelementen für die Leistungselektronik. Teilvorhaben. Verbundprojekt: Neuartige Leistungs-Bauelemente mit hoher Energieeffizienz und Wirtschaftlichkeit auf Basis von Verbindungshalbleitern mit großer Bandlücke (NeuLand). Abschlussbericht
Tema Archiv | 2013| -
Entwicklung einer MOCVD-Anlagentechnik zur verbesserten Herstellung von Nano-Strukturen in den Materialsystemen AIGaInN. Teilvorhaben. GaAs und GaN basierte Quantenpunkt-Halbleiteremitter und optimierte Nachweiselektroniken für Systemuntersuchungen zu Quantenkryptographie-Übertragungsprotokollen (QPENS). Abschlussbericht zum Verbundprojekt
Tema Archiv | 2012| -
Förderschwerpunkt: "Displays auf der Basis organischer Leuchtdioden (OLED-Displays)", Teilvorhaben: "Innovatives Abscheideverfahren (Organic Vapor Phase Deposition, OVPD) für die Herstellung organischer Schichtstrukturen". Abschlussbericht zum Forschungsprojekt. Laufzeit: 01.11.2001 - 31.12.2004
Tema Archiv | 2005|
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