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Influence of Temperature on Shockley Stacking Fault Expansion and Contraction in SiC PiN Diodes
Online Contents | 2007| -
Influence of Temperature on Shockley Stacking Fault Expansion and Contraction in SiC PiN Diodes
Online Contents | 2007| -
Influence of Temperature on Shockley Stacking Fault Expansion and Contraction in SiC PiN Diodes
Springer Verlag | 2007| -
Temperature-mediated saturation and current-induced recovery of the Vf drift in 4H-SiC p-i-n diodes
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2007| -
On the driving force for recombination-induced stacking fault motion in 4H–SiC
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2010| -
Reversal of forward voltage drift in 4H-SiC p-i-n diodes via low temperature annealing
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2007| -
Thermal Annealing and Propagation of Shockley Stacking Faults in 4H-SiC PiN Diodes
Springer Verlag | 2007| -
Thermal Annealing and Propagation of Shockley Stacking Faults in 4H-SiC PiN Diodes
Online Contents | 2007| -
Thermal Annealing and Propagation of Shockley Stacking Faults in 4H-SiC PiN Diodes
Online Contents | 2007| -
Photoluminescence and Electroluminescence Imaging of Carrot Defect in 4H-SiC Epitaxy
Online Contents | 2007| -
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Online Contents | 2007| -
Photoluminescence and Electroluminescence Imaging of Carrot Defect in 4H-SiC Epitaxy
Springer Verlag | 2007| -
Observation of a multilayer planar in-grown stacking fault in 4H-SiC p-i-n diodes
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2006| -
Free carrier distribution profiling of 4H-SiC substrates using a commercial optical scanner
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2007|
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