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Synonyme wurden verwendet für: Aluminiumarsenid
Suche ohne Synonyme: keywords:(Aluminiumarsenid)
Verwendete Synonyme:
- alas
- aluminium arsenide
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Two-step decoupling of excitonic states in a biperiodic GaAs/AlAs short period superlattice under electric fields
Tema Archiv | 1990|Schlagwörter: ALUMINIUMARSENID -
Temporal responses of a symmetric self-electro-optic effect device based on Wannier-Stark localization
Tema Archiv | 1999|Schlagwörter: Aluminiumarsenid -
Miniband edge optical transitions in photocurrent spectra of GaAs/AlAs superlattices
Tema Archiv | 1993|Schlagwörter: Aluminiumarsenid -
Enhanced anticrossing in an asymmetric double-well GaAs/AlAs superlattice with two kinds of Stark-ladder states
Tema Archiv | 1998|Schlagwörter: Aluminiumarsenid -
Transmission intensity oscillations in GaAs/AlAs superlattices induced by photogenerated charge transport
Tema Archiv | 1994|Schlagwörter: Aluminiumarsenid -
Negative peaks in photocurrent spectra of thick barrier GaAs/AlAs multiple quantum wells
Tema Archiv | 1998|Schlagwörter: Aluminiumarsenid -
Controllability of the wavefunction localization in an asymmetrical bi-periodic GaAs/AlAs superlattice
Tema Archiv | 1998|Schlagwörter: Aluminiumarsenid -
Interplay of excitonic radiative recombination and ionization in photocurrent spectra of thick barrier GaAs/AlAs multiple quantum wells
Tema Archiv | 1999|Schlagwörter: Aluminiumarsenid -
Miniband and Wannier-Stark states in GaAs-AlAs superlattices investigated by differential photocurrent spectroscopy
Tema Archiv | 1992|Schlagwörter: Aluminiumarsenid -
Electro-optical bistability and multistability in GaAs/AlAs superlattices with different miniband widths
Tema Archiv | 1991|Schlagwörter: ALUMINIUMARSENID, GAAS-ALAS -
GaAs/Ga0.65Al0.35As DBR surface emitting lasers grown by OMVPE
Tema Archiv | 1988|Schlagwörter: ALUMINIUMARSENID -
Transmission self-electro-optic effect devices based on Wannier-Stark localization in a GaAs/AlAs superlattice
Tema Archiv | 1992|Schlagwörter: Aluminiumarsenid, GaAs-AlAs -
Surface-emitting lasers with GaAlAs/AlAs DBR grown by OMVPE
Tema Archiv | 1988|Schlagwörter: ALUMINIUMARSENID, AS-ALAS -
Buried heterostructure GaAs/GaAlAs distributed Bragg reflector surface emitting laser with very low threshold (5.2 mA) under room temperature CW conditions
Tema Archiv | 1989|Schlagwörter: ALUMINIUMARSENID
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