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Differences in emission spectra of Si- and C-core partial dislocations
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2007| -
Reversal of forward voltage drift in 4H-SiC p-i-n diodes via low temperature annealing
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2007| -
Thermal Annealing and Propagation of Shockley Stacking Faults in 4H-SiC PiN Diodes
Online Contents | 2007| -
Thermal Annealing and Propagation of Shockley Stacking Faults in 4H-SiC PiN Diodes
Online Contents | 2007| -
Thermal Annealing and Propagation of Shockley Stacking Faults in 4H-SiC PiN Diodes
Springer Verlag | 2007| -
Photoluminescence and Electroluminescence Imaging of Carrot Defect in 4H-SiC Epitaxy
Online Contents | 2007| -
Photoluminescence and Electroluminescence Imaging of Carrot Defect in 4H-SiC Epitaxy
Online Contents | 2007| -
Photoluminescence and Electroluminescence Imaging of Carrot Defect in 4H-SiC Epitaxy
Springer Verlag | 2007| -
Observation of a multilayer planar in-grown stacking fault in 4H-SiC p-i-n diodes
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2006| -
Differences in emission spectra of Si- and C-core partial dislocations
Online Contents | 2007|Beteiligte: Caldwell, Joshua D. -
Nanocrystalline diamond films as UV-semitransparent Schottky contacts to 4H-SiC
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2007|
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