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Synonyme wurden verwendet für: Aluminiumarsenid
Suche ohne Synonyme: keywords:(Aluminiumarsenid)
Verwendete Synonyme:
- alas
- aluminium arsenide
-
Strain relaxation in InGaAs lattice engineered substrates
Tema Archiv | 2000|Schlagwörter: AlAs (Aluminiumarsenid) -
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Tema Archiv | 1995|Schlagwörter: Aluminiumarsenid -
Flow modulation epitaxy of Ga(x)-In(1-x)As/AlAs hesterostructures on InP for resonant tunneling diodes
Tema Archiv | 1994|Schlagwörter: Aluminiumarsenid -
Effect of n and p channel doping on th I-V characteristics of AlInAs-GaInAs HEMTs
Tema Archiv | 1992|Schlagwörter: Aluminiumarsenid -
Hydrogenation of GaAs MISFETs with Al2O3 as the gate insulator
Tema Archiv | 1996|Schlagwörter: Aluminiumarsenid -
High performance AlAs/Ga(x)In(1-x)As resonant tunneling diodes by metalorganic chemical vapor deposition
Tema Archiv | 1995|Schlagwörter: Aluminiumarsenid -
Rapid thermal annealing characteristics of bulk AlInAs/InP and AlInAs/GaInAs/InP high electron mobility transistor structures with planar silicon doping
Tema Archiv | 1992|Schlagwörter: Aluminiumarsenid -
A 2-GHz three-stage AlInAs-GaInAs-InP HEMT MMIC low-noise amplifier
Tema Archiv | 1993|Schlagwörter: Aluminiumarsenid -
GaAs MESFET's on a truly insulating buffer layer: demonstration of the GaAs on insulator technology
Tema Archiv | 1997|Schlagwörter: Aluminiumarsenid -
The effect of interface and alloy quality on the DC and RF performance of Ga0.47In0.53As-Al0.48In0.52As HEMTs
Tema Archiv | 1989|Schlagwörter: ALUMINIUMARSENID -
Effect of epitaxial layer design on the microwave performance of high electron mobility transistors
Tema Archiv | 1986|Schlagwörter: ALAS SPACERS -
GaAs on insulator (GOI) for low power applications
Tema Archiv | 1997|Schlagwörter: Aluminiumarsenid -
Self-aligned AlInAs-GaInAs heterojunction bipolar transistors and circuits
Tema Archiv | 1989|Schlagwörter: ALUMINIUMARSENID -
Microwave performance of AlInAs-GaInAs HEMTs with 0.2- and 0.1- mu m gate length
Tema Archiv | 1988|Schlagwörter: ALUMINIUMARSENID -
Impact of buffer layer design on the performance of AlInAs-GaInAs HEMTs
Tema Archiv | 1989|Schlagwörter: ALUMINIUMARSENID -
High performance submicrometer AlInAs-GaInAs HEMTs
Tema Archiv | 1987|Schlagwörter: ALUMINIUMARSENID -
DC and RF performance of 0.1 mu m gate length Al0.48In0.52As-Ga0.38In0.62As pseudomorphic HEMTs
Tema Archiv | 1988|Schlagwörter: ALUMINIUMARSENID -
Noise performance of submicrometer AlInAs-GaInAs HEMTs
Tema Archiv | 1988|Schlagwörter: ALUMINIUMARSENID -
Ultra-high-speed digital circuit performance in 0.2- mu m gate-length AlInAs/GaInAs HEMT technology
Tema Archiv | 1988|Schlagwörter: ALUMINIUMARSENID
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