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Electron Backscatter Diffraction Study of Hexagonal Boron Nitride Growth on Cu Single-Crystal Substrates
American Chemical Society | 2015| -
Atomic Layer Deposition as the Enabler for the Metastable Semiconductor InN and Its Alloys
Freier ZugriffAmerican Chemical Society | 2023| -
Structural Characterization of Atomic Layer Deposited Vanadium Dioxide
American Chemical Society | 2017| -
Chemical etching behaviors of semipolar (112&cmb.macr;2) and nonpolar (112&cmb.macr;0) gallium nitride films
NationallizenzRoyal Society of Chemistry | 2014| -
Design of gallium nitride resonant cavity light-emitting diodes on Si substrates
Tema Archiv | 2008| -
Epitaxial Growth of Cubic and Hexagonal InN Thin Films via Plasma-Assisted Atomic Layer Epitaxy
American Chemical Society | 2013| -
Photopolymerization of Self-Assembled Monolayers of Diacetylenic Alkylphosphonic Acids on Group-III Nitride Substrates
American Chemical Society | 2010| -
Coherent X‑ray Spectroscopy Elucidates Nanoscale Dynamics of Plasma-Enhanced Thin-Film Growth
Freier ZugriffAmerican Chemical Society | 2024| -
Phase Control of Crystalline Ga2O3 Films by Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition
American Chemical Society | 2020|
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