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X‐ray study of defect depth distribution in silicon wafers after heat treatment
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1991| -
Production of three-dimensional quantum dot lattice of Ge/Si core–shell quantum dots and Si/Ge layers in an alumina glass matrix
PaperIOP Institute of Physics | 2015| -
GID study of strains in Si due to patterned SiO~2
British Library Conference Proceedings | 2001|Beteiligte: Gronkowski, J. -
PAPERS - REFLECTIVITY AND GRAZING INCIDENCE DIFFRACTION - GID study of strains in Si due to patterned SiO2
Online Contents | 2001|Beteiligte: Holy, V., Grenzer, J., Bochnicek, Z. -
Structural characterization of self-assembled Ge dot multilayers by X-ray diffraction and reflectivity methods
Online Contents | 1998|Beteiligte: Holy, V., Stangl, J., Kovats, Z. -
Production of three-dimensional quantum dot lattice of Ge/Si core-shell quantum dots and Si/Ge layers in an alumina glass matrix
Online Contents | 2015|Beteiligte: Sancho-Paramon, J, Grenzer, J, Siketić, Z, Endres, J, Roško, J, Holy, V
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