Erscheinungsjahr
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Geomechanical model for the post-Variscan evolution of the Permocarboniferous–Mesozoic basins in Northeast Germany
NationallizenzElsevier | 2002| -
Mehrfachbindungen zwischen hauptgruppenelementen und übergangsmetallen
NationallizenzXVII. Selen- und tellur-brücken in organometallkomplexen: AUFBAU, protonierung und methylierungElsevier | 1985| -
Mehrfachbindungen zwischen Hauptgruppenelementen und Übergangsmetallen
NationallizenzXLVVI. Nachweis der Elektrophilie eines trigonal-planar koordinierten TelluratomsElsevier | 1987| -
Multiple bonds between transition metals and ‘bare’ main group elements. A reactive manganese–tellurium–manganese framework: synthesis structure, and alkylidene addition
NationallizenzRoyal Society of Chemistry | 1984| -
Mehrfachbindungen zwischen Hauptgruppenelementen und Übergangsmetallen
NationallizenzXLVI. Organoeisen-Komplexe mit Selen-BrückenElsevier | 1987| -
Mehrfachbindungen zwischen hauptgruppenelementen und übergangsmetallen
NationallizenzXXXII. Insertions- und metathesereaktionen von metallorganischen eisen-selen-komplexenElsevier | 1986| -
Epitaxial Growth of n-Type 4H-SiC on 3" Wafers for Power Devices
NationallizenzTrans Tech Publications | 2005|Beteiligte: Hecht, Christian -
Large-Area Homoepitaxial Growth of Low-Doped Thick Epilayers for Power Devices with VBR > 4 kV
NationallizenzTrans Tech Publications | 2009|Beteiligte: Hecht, Christian -
Thick Epitaxial Layers on 4º Off-Oriented 4H-SiC Suited for PiN-Diodes with Blocking Voltages above 6.5 kV
NationallizenzTrans Tech Publications | 2006|Beteiligte: Hecht, Christian -
Epitaxial Growth of 4H-SiC on (000-1) C-Face Substrates by Cold-Wall and Hot-Wall Chemical Vapor Deposition
NationallizenzTrans Tech Publications | 2007|Beteiligte: Hecht, Christian -
High Voltage SiC Vertical JFET for High Power RF Applications
NationallizenzTrans Tech Publications | 2012|Beteiligte: Hecht, Christian -
Advances in Multi- and Single-Wafer SiC Epitaxy for the Production and Development of Power Diodes
NationallizenzTrans Tech Publications | 2008|Beteiligte: Hecht, Christian -
Challenges in Large-Area Multi-Wafer SiC Epitaxy for Production Needs
NationallizenzTrans Tech Publications | 2006|Beteiligte: Hecht, Christian -
1700 V SiC Schottky Diodes Scaled to 25 A
NationallizenzTrans Tech Publications | 2001|Beteiligte: Hecht, Christian -
Challenges and First Results of SiC Schottky Diode Manufacturing using a 3-Inch Technology
NationallizenzTrans Tech Publications | 2004|Beteiligte: Hecht, Christian -
SXRT Investigations on Electrically Stressed 4H-SiC PiN Diodes for 6.5 kV
NationallizenzTrans Tech Publications | 2013|Beteiligte: Hecht, Christian -
Influence of Epilayer Thickness and Structural Defects on the Minority Carrier Lifetime in 4H-SiC
NationallizenzTrans Tech Publications | 2013|Beteiligte: Hecht, Christian -
High-Performance Multi-Wafer SiC Epitaxy – First Results of Using a 10x100mm Reactor
NationallizenzTrans Tech Publications | 2010|Beteiligte: Hecht, Christian
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