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Complementary Field Effect Transistors Using Gallium Polar and Nitrogen Polar III-Nitride Material
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2015| -
Complementary field effect transistors using gallium polar and nitrogen polar III-nitride material
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2015| -
Complementary field effect transistors using gallium polar and nitrogen polar III-nitride material
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2015| -
LOW RESISTANCE PHOTOCONDUCTIVE SEMICONDUCTOR SWITCH (PCSS)
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2024| -
Complementary Field Effect Transistors Using Gallium Polar and Nitrogen Polar III-Nitride Material
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2015| -
(Invited) Homoepitaxial GaN Growth on Free-Standing Substrates
British Library Conference Proceedings | 2018| -
$ MnO_{2} $-Based Electrochemical Supercapacitors on Flexible Carbon Substrates
Online Contents | 2014| -
Photopolymerization of Self-Assembled Monolayers of Diacetylenic Alkylphosphonic Acids on Group-III Nitride Substrates
American Chemical Society | 2010| -
$ MnO_{2} $-Based Electrochemical Supercapacitors on Flexible Carbon Substrates
Online Contents | 2014| -
Large-area transparent conductive few-layer graphene electrode in GaN-based ultra-violet light-emitting diodes
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2011| -
Mechanical Exfoliation of Large Area (100) β-Ga~2O~3 Onto Arbitrary Substrates for High Power Devices
British Library Conference Proceedings | 2017| -
Polarization and Space Charge Limited Current in III-Nitride Heterostructure Nanowires
Freier ZugriffArXiv | 2020| -
Buried graphene electrodes on GaN-based ultra-violet light-emitting diodes
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2012|
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