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Im Rahmen der vorliegenden Arbeit wurden Verfahren zur kombinierten Ionenstrahlpräparation und EBSD- basierten Verzerrungsanalyse in Silizium-Strukturen erarbeitet. Hierfür wurde zunächst eine spezielle Auswertesoftware mit graphischer Benutzeroberfläche erstellt, mit deren Hilfe spannungsinduzierte Verschiebungen in Beugungsbildern rückgestreuter Elektronen mit einer Genauigkeit von 0,01 Pixel detektiert werden können. Verglichen mit den bis dato eingesetzten Kreuzkorrelationsalgorithmen, welche eine Genauigkeit von 0,05 Pixel aufweisen, ergibt sich für den Fall dynamisch simulierter Beugungsbilder eine Verbesserung der Nachweisgrenze um eine halbe Größenordnung. Zur Steigerung der Reproduzierbarkeit von Verzerrungsmessungen wurden zudem neuartige Methoden zur automatischen Optimierung digitaler Bildfilter im Vorfeld der Korrelationsaualyse sowie zur Detektion von Verschmutzungen des Phosphorschirms entwickelt. Zusammen mit Verfahren zur Korrektur der geometrischen Verschiebungen bei Beamscans und Quantifizierung der Bildqualität der Beugungsbilder steht nunmehr ein leistungsstarkes Werkzeug für die automatisierte Analyse verzerrter Silizium-Strukturen anhand von Punktmessungen, Linescans und Mappings zur Verfügung. Der Fortschritt im Bereich der Elektronenrückstreubeugung, bezogen auf den Stand der Wissenschaft im Vorfeld dieser Arbeit, ist in Abb. 8.1 graphisch veranschaulicht. Die hohen Anforderungen der "Pattern Shift" Methodik an die Qualität der zu analysierenden Beugungsbilder macht Präparationsverfahren mit möglichst geringer Kristallschädigung zwingend erforderlich. Um dieser Forderung auch im Rahmen der ionenstrahlbasierten Zielpräparation zu entsprechen, wurden systematische Untersuchungen zum Einfluss der Ionenspezies, Primärenergie und Dosisdichte auf die Oberflächengüte durchgeführt. Die entstandenen Oberflächen wurden dabei zunächst mit Hilfe rasterkraftmikroskopischer Abbildung und nachfolgender Spektralanalyse hinsichtlich einer möglichen Oberflächenstrukturierung analysiert. Hierbei konnte erstmals die Ausbildung einer säulenartigen Aufrauhung von Silizium-Oberflächen durch Beschuss mit Bi+-Ionen bei einer Energie von 25keV und unter einem Winkel von 45 nachgewiesen werden. Analoge experimentelle Befunde konnten für die Erosion mittels O2+-Ionen der Energie 1 keV bzw. 2keV gewonnen werden. Da die Aufnahme kontrastreicher und rauscharmer Beugungsbilder neben nanoskopisch glatten Oberflächen auch eine geringe Schädigung des Kristallgitters voraussetzt, wurden die erzeugten Oberflächen zudem mit Hilfe hochauflösender Transmissionselektronenmikroskopie analysiert. Hierbei konnte gezeigt werden, dass insbesondere der Oberflächenabtrag unter Verwendung niederenergetischer Ar4" und Cs+ sehr geringe Amorphisierungsdicken zur Folge hat. Dieses Ergebnis konnte auch im Rahmen der durchgeführten molekulardynamischen Simulationen bestätigt werden. Eine mögliche Verfälschung des Verzerrungszustands auf Grund der Ionenstrahlerosion wurde mit Hilfe hochaufgelöster Ramanspektroskopie experimentell überprüft. Hierbei konnten nur für den Fall des Beschüsses mit Ga+-Ionen bei einer Energie von 30 keV signifikante Eigenspannungen nachgewiesen werden. Darüber hinaus wurde erstmals der experimentelle Beweis für die Rekristallisation von Silizium-Oberflächen infolge des Beschüsses mit Gallium-Ionen erbracht. Weiterhin wurden Vor- und Nachteile verschiedener Präparations- und Aquisitionsstrategien diskutiert und Empfehlungen für die Anwendung der Methodik in praktisch relevanten Probensystemen abgeleitet. Das große Anwendungspotential kombinierter Ionenstrahlpräparation und Verzerrungsanalyse mittels Elektronenrückstreubeugung wurde exemplarisch für den Fall einer 60 nm dünnen Strained Silicon on Insulator-Probe demonstriert. Bislang publizierte Analysen waren lediglich auf deren technologische Vorstufe, lithographisch strukturierte SiGe begrenzt. Die gute Übereinstimmung mit Ergebnissen aus Raman- und XRD-Messungen konnte sowohl für die eigentlichen Verzerrungen, als auch die nachgewiesene Rotation relativ zum Substrat gezeigt werden.