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Investigation of III–V Nanowires by Plan-View Transmission Electron Microscopy: InN Case Study
Online Contents | 2014| -
Detection of BiGa hetero-antisites at Ga(As,Bi)/(Al,Ga)As interfaces
Freier ZugriffAmerican Institute of Physics | 2024| -
Formation and phase transformation of Bi-containing QD-like clusters in annealed GaAsBi
IOP Institute of Physics | 2014| -
Observation of atomic ordering of triple-period-A and -B type in GaAsBi
American Institute of Physics | 2014| -
Photoionization spectrum in double-barrier quantum wells: Exact expansion over resonances and natural line shape
NationallizenzAmerican Physical Society | 2001| -
Application of the Delphi Method for the Analysis of the Factors Determining Social Entrepreneurship
Freier ZugriffDOAJ | 2017| -
Determinant factors in entrepreneurial intention among Social Work degree students: the moderating effect of entrepreneurship education
Emerald Group Publishing | 2022| -
Critical role of two-dimensional island-mediated growth on the formation of semiconductor heterointerfaces
Freier ZugriffArXiv | 2012| -
Ga predeposition for the Ga-assisted growth of GaAs nanowire ensembles with low number density and homogeneous length
British Library Online Contents | 2017| -
Ga predeposition for the Ga-assisted growth of GaAs nanowire ensembles with low number density and homogeneous length
British Library Online Contents | 2017| -
Detecting lateral composition modulation in dilute Ga(As,Bi) epilayers
PaperIOP Institute of Physics | 2015| -
Critical parameters for the molecular beam epitaxial growth of 1.55 μm (Ga,In)(N,As) multiple quantum wells
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2006| -
Bismuth-surfactant-induced growth and structure of InAs/GaAs(110) quantum dots
Freier ZugriffArXiv | 2019|
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