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Band 15,
Ausgabe 6
Band 15,
Ausgabe 5
Band 15,
Ausgabe 4
Band 15,
Ausgabe 3
Band 15,
Ausgabe 2
Band 15,
Ausgabe 1
Band 14,
Ausgabe 12
Band 14,
Ausgabe 11
Band 14,
Ausgabe 10
Band 14,
Ausgabe 9
Band 14,
Ausgabe 8
Band 14,
Ausgabe 7
Band 14,
Ausgabe 6
Band 14,
Ausgabe 5
Band 14,
Ausgabe 4
Band 14,
Ausgabe 3
Band 14,
Ausgabe 2
Band 14,
Ausgabe 1
Band 13,
Ausgabe 12
Band 13,
Ausgabe 11
Band 13,
Ausgabe 10
Band 13,
Ausgabe 8
Band 13,
Ausgabe 7
Band 13,
Ausgabe 6
Band 13,
Ausgabe 5
Band 13,
Ausgabe 4
Band 13,
Ausgabe 3
Band 13,
Ausgabe 2
Band 13,
Ausgabe 1
Band 12,
Ausgabe 12
Band 12,
Ausgabe 11
Band 12,
Ausgabe 10
Band 12,
Ausgabe 9
Band 12,
Ausgabe 8
Band 12,
Ausgabe 7
Band 12,
Ausgabe 6
Band 12,
Ausgabe 5
Band 12,
Ausgabe 4
Band 12,
Ausgabe 3
Band 12,
Ausgabe 2
Band 12,
Ausgabe 1
Band 11,
Ausgabe 12
Band 11,
Ausgabe 11
Band 11,
Ausgabe 10
Band 11,
Ausgabe 9
Band 11,
Ausgabe 8
Band 11,
Ausgabe 7
Band 11,
Ausgabe 6
Band 11,
Ausgabe 5
Band 11,
Ausgabe 4
Band 11,
Ausgabe 3
Band 11,
Ausgabe 2
Band 11,
Ausgabe 1
Band 10,
Ausgabe 6
Band 10,
Ausgabe 5
Band 10,
Ausgabe 4
Band 10,
Ausgabe 3
Band 10,
Ausgabe 2
Band 10,
Ausgabe 1
>
Inhaltsverzeichnis
829
Changes in the editorial board
Verret, D.
et al.
| 2001
830
Schottky barrier depletion modification-a source of output conductance in submicron GaAs MESFETs
Ahmed, M.M.
et al.
| 2001
830
PAPERS - Compound Semiconductor Devices - Schottky Barrier Depletion Modification -- A Source of Output Conductance in Submicron GaAs MESFETs
Ahmed, M.M.
et al.
| 2001
835
Current gain dependence on subcollector and etch-stop doping in InGaP/GaAs HBTs
Chung, T.
/ Bank, S.R.
/ Epple, J.
et al.
| 2001
835
PAPERS - Compound Semiconductor Devices - Current Gain Dependence on Subcollector and Etch-Stop Doping in InGaP-GaAs HBTs
Chung, T.
et al.
| 2001
840
PAPERS - Compound Semiconductor Devices - A GaAs Solar Cell with an Efficiency of 26.2% at 1000 Suns and 25.0% at 2000 Suns
Algora, C.
et al.
| 2001
840
A GaAs solar cell with an efficiency of 26.2% at 1000 suns and 25.0% at 2000 suns
Algora, C.
/ Ortiz, E.
/ Rey-Stolle, I.
et al.
| 2001
845
PAPERS - Optoelectronics, Displays, Imaging - Polysilicon TFT Technology for Active Matrix OLED Displays
Stewart, M.
et al.
| 2001
845
Polysilicon TFT technology for active matrix OLED displays
Stewart, M.
/ Howell, R.S.
/ Pires, L.
et al.
| 2001
852
PAPERS - Optoelectronics, Displays, Imaging - Optical Characteristics of Silicon Semiconductor Bridges Under High Current Density Conditions
Kim, J.
et al.
| 2001
852
Optical characteristics of silicon semiconductor bridges under high current density conditions
Jongdae Kim,
/ Tae Moon Roh,
/ Kyoung-Ik Cho,
et al.
| 2001
858
PAPERS - Optoelectronics, Displays, Imaging - Charge Transfer in a Multi-Implant Pinned-Buried Photodetector
Jarwal, R.K.
et al.
| 2001
858
Charge transfer in a multi-implant pinned-buried photodetector
Janval, R.K.
/ Misra, D.
/ Lowrance, J.L.
et al.
| 2001
863
Bipolar transistor selected P-channel flash memory cell technology
Ohnakado, T.
/ Ajika, N.
/ Satoh, S.
et al.
| 2001
863
PAPERS - Silicon Devices - Bipolar Transistor Selected P-Channel Flash Memory Cell Technology
Ohnakado, T.
et al.
| 2001
868
Excess currents induced by hot hole injection and FN electron injection in thin SiO2 films
Teramoto, A.
/ Kobayashi, K.
/ Ohno, Y.
et al.
| 2001
868
Excess currents induced by hot hole injection and FN electron injection in thin SiO/sub 2/ films
Teramoto, A.
/ Kobayashi, K.
/ Ohno, Y.
et al.
| 2001
868
PAPERS - Silicon Devices - Excess Currents Induced by Hot Hole Injection and FN Electron Injection in Thin SiO2 Films
Teramoto, A.
et al.
| 2001
874
PAPERS - Silicon Devices - Characteristics of P-Channel Si Nano-Crystal Memory
Han, K.
et al.
| 2001
874
Characteristics of p-channel Si nano-crystal memory
Kwangseok Han,
/ Ilgweon Kim,
/ Hyungcheol Shin,
et al.
| 2001
880
PAPERS - Silicon Devices - Sub-50 nm P-Channel FinFET
Huang, X.
et al.
| 2001
880
Sub-50 nm P-channel FinFET
Xuejue Huang,
/ Wen-Chin Lee,
/ Kuo, C.
et al.
| 2001
887
Unified MOSFET compact I-V model formulation through physics-based effective transformation
Xing Zhou,
/ Khee Yong Lim,
et al.
| 2001
887
PAPERS - Silicon Devices - Unified MOSFET Compact I-V Model Formulation through Physics-Based Effective Transformation
Zhou, X.
et al.
| 2001
897
Vertical N-channel MOSFETs for extremely high density memories: the impact of interface orientation on device performance
Goebel, B.
/ Schumann, D.
/ Bertagnolli, E.
et al.
| 2001
897
PAPERS - Silicon Devices - Vertical N-Channel MOSFETs for Extremely High Density Memories: The Impact of Interface Orientation on Device Performance
Goebel, B.
et al.
| 2001
907
PAPERS - Silicon Devices - Characterization of Ultrathin Oxynitride (18-21 °A) Gate Dielectrics by NH3 Nitridation and N2O RTA Treatment
Pan, T.M.
et al.
| 2001
907
Characterization of ultrathin oxynitride (18-21 A) gate dielectrics by NH/sub 3/ nitridation and N/sub 2/O RTA treatment
Tung Ming Pan,
/ Tan Fu Lei,
/ Huang Chun Wen,
et al.
| 2001
913
PAPERS - Silicon Devices - Analysis of the DCIV Peaks in Electrically Stressed pMOSFETs
Jie, B.B.
et al.
| 2001
913
Analysis of the DCIV peaks in electrically stressed pMOSFETs
Bin Bin Jie,
/ Chim, W.K.
/ Ming-Fu Li,
et al.
| 2001
921
PAPERS - Silicon Devices - 1-f Noise in CMOS Transistors for Analog Applications
Nemirovsky, Y.
et al.
| 2001
921
1/f noise in CMOS transistors for analog applications
Nemirovsky, Y.
/ Brouk, I.
/ Jakobson, C.G.
et al.
| 2001
928
Isolation on Si wafers by MeV proton bombardment for RF integrated circuits
Lurng Shehng Lee,
/ Chungpin Liao,
/ Chung-Len Lee,
et al.
| 2001
928
PAPERS - Silicon Devices - Isolation on Si Wafers by MeV Proton Bombardment for RF Integrated Circuits
Lee, L.S.
et al.
| 2001
935
PAPERS - Silicon Devices - A New Model of Gate Capacitance as a Simple Tool to Extract MOS Parameters
Larcher, L.
et al.
| 2001
935
A new model of gate capacitance as a simple tool to extract MOS parameters
Larcher, L.
/ Pavan, P.
/ Pellizzer, F.
et al.
| 2001
946
Semiconductor transport simulation with the local iterative Monte Carlo technique
Jakumeit, J.
/ Ravaioli, U.
et al.
| 2001
946
PAPERS - Silicon Devices - Semiconductor Transport Simulation with the Local Iterative Monte Carlo Technique
Jakumeit, J.
et al.
| 2001
956
PAPERS - Solid State Device Phenomena - Low-Frequency Noise in TFSOI Lateral N-P-N Bipolar Transistors
Babcock, J.A.
et al.
| 2001
956
Low-frequency noise in TFSOI lateral n-p-n bipolar transistors
Babcock, J.A.
/ Schroder, D.K.
/ Huang, W.-L.M.
et al.
| 2001
966
A TCAD approach to the physics-based modeling of frequency conversion and noise in semiconductor devices under large-signal forced operation
Bonani, F.
/ Guerrieri, S.D.
/ Ghione, G.
et al.
| 2001
966
PAPERS - Solid State Device Phenomena - A TCAD Approach to the Physics-Based Modeling of Frequency Conversion and Noise in Semiconductor Devices Under Large-Signal Forced Operation
Bonani, F.
et al.
| 2001
978
PAPERS - Solid State Device Phenomena - On a Dual-Polarity On-Chip Electrostatic Discharge Protection Structure
Wang, A.Z.H.
et al.
| 2001
978
On a dual-polarity on-chip electrostatic discharge protection structure
Wang, A.Z.H.
/ Chen-Hui Tsay,
et al.
| 2001
985
Analysis of the stochastic error of stationary Monte Carlo device simulations
Jungemann, C.
/ Meinerzhagen, B.
et al.
| 2001
985
PAPERS - Solid State Device Phenomena - Analysis of the Stochastic Error of Stationary Monte Carlo Device Simulations
Jungemann, C.
et al.
| 2001
993
PAPERS - Solid-State Sensors and Actuators - Self-Consistent Simulation of the Spatial-Harmonic Magnetron with Cold Secondary-Emission Cathode
Schünemann, K.
et al.
| 2001
993
Self-consistent simulation of the spatial-harmonic magnetron with cold secondary-emission cathode
Schunemann, K.
/ Sosnytskiy, S.V.
/ Vavriv, D.M.
et al.
| 2001
999
BRIEFS - Body Bias Dependence of 1-f Noise in NMOS Transistors from Deep-Subthreshold to Strong Inversion
Park, N.
et al.
| 2001
999
Body bias dependence of 1/f noise in NMOS transistors from deep-subthreshold to strong inversion
Namkyu Park,
/ O, K.K.
et al.
| 2001
1001
BRIEFS - Effective Channel Lenuth and External Series Resistance Models of Scaled LDD pMOSFETs Operating in a Bi-MOS Hybrid-Mode Environment
Seah, S.H.L.
et al.
| 2001
1001
Effective channel length and external series resistance models of scaled LDD pMOSFETs operating in a Bi-MOS hybrid-mode environment
Seah, S.H.L.
/ Kiat Seng Yeo,
/ Jian Guo Fia,
et al.
| 2001
1004
Patterning sub-30-nm MOSFET gate with i-line lithography
Asano, K.
/ Yang-Kyu Choi,
/ Tsu-Jae King,
et al.
| 2001
1004
BRIEFS - Patterning Sub-30-nm MOSFET Gate with I-Line Lithography
Asano, K.
et al.
| 2001
1006
Gate-induced drain leakage current enhanced by plasma charging damage
Siguang Ma,
/ Yaohui Zhang,
/ Li, M.F.
et al.
| 2001
1006
BRIEFS - Gate-Induced Drain Leakage Current Enhanced by Plasma Charging Damage
Ma, S.
et al.
| 2001
1008
BRIEFS - A Novel Two-Step Laser Crystallization Technique for Low-Temperature Poly-Si TFTs
Zeng, X.
et al.
| 2001
1008
A novel two-step laser crystallization technique for low-temperature poly-Si TFTs
Xiangbin Zeng,
/ Zhongyang Xu,
/ Sin, J.K.O.
et al.
| 2001
1010
Experimental evidence of interface-controlled mechanism of quasi-breakdown in ultrathin gate oxide
Hao Guan,
/ Byung Jin Cho,
/ Li, M.E.
et al.
| 2001
1010
BRIEFS - Experimental Evidence of Interface-Controlled Mechanism of Quasi-Breakdown in Ultrathin Gate Oxide
Guan, H.
et al.
| 2001
1013
CMOS compatible HV gate-shifted LDD-NMOS
Santos, P.M.
/ Casimiro, A.P.
/ Lanca, M.
et al.
| 2001
1013
BRIEFS - CMOS Compatible HV Gate-Shifted LDD-NMOS
Santos, P.M.
et al.
| 2001
1015
Reliability of thin oxides grown on deuterium implanted silicon substrate
Misra, D.
/ Jarwal, R.K.
et al.
| 2001
1015
BRIEFS - Reliability of Thin Oxides Grown on Deuterium Implanted Silicon Substrate
Misra, D.
et al.
| 2001
1017
BRIEFS - The Nonvolatile Cell Hidden in Standard CMOS Logic Technologies
Lovett, S.J.
et al.
| 2001
1017
The nonvolatile cell hidden in standard CMOS logic technologies
Lovett, S.J.
et al.
| 2001
1019
BRIEFS - A Physically Based Relation Between Extracted Threshold Voltage and Surface Potential Flat-Band Voltage for MOSFET Compact Modeling
Benson, J.
et al.
| 2001
1019
A physically based relation between extracted threshold voltage and surface potential flat band voltage for MOSFET compact modeling
Benson, J.
/ D'Halleweyn, N.V.
/ Redman-White, W.
et al.
| 2001
1022
ANNOUNCEMENTS - Call for Papers -- 23rd International Conference on Microelectronics
| 2001
1023
ANNOUNCEMENTS - Announcement and Call for Papers -- 14th International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs
| 2001
1024
ANNOUNCEMENTS - Call for Papers -- International Semiconductor Conference
| 2001