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Inhaltsverzeichnis
59
Guest Editorial
| 2000
61
The onset of quantization in ultra-submicron semiconductor devices
Ferry, D.K.
et al.
| 2000
67
Why would anyone want to build a narrow channel (quantum wire) transistor?
Bandyopadhyay, S.
et al.
| 2000
77
Si tight-binding parameters from genetic algorithm fitting
Klimeck, G.
et al.
| 2000
89
Solid-state quantum computation -- A new direction for nanotechnology
Berman, G.P.
et al.
| 2000
105
Ballistic field-effect transistor with negative-effective-mass current carriers in the channel
Gribnikov, Z.
et al.
| 2000
111
Shrinking limits of silicon MOSFETs: Numerical study of 10 nm scale devices
Naveh, Y.
et al.
| 2000
125
Series resistance limits for 0.05 mm MOSFETs
Keys, P.
et al.
| 2000
125
Series resistance limits for 0.05 micrometer MOSFETs
Keys, P.
/ Gossmann, H.J.
/ Ng, K.K.
et al.
| 2000
137
Monte Carlo simulation for ultra-small MOS devices
Ravaioli, U.
et al.
| 2000
147
Monte Carlo particle-based simulations of deep-submicron n-MOSFETs with real-space treatment of electron-electron and electron-impurity interactions
Vasileska, D.
et al.
| 2000
159
Advances in the Spherical Harmonic-Boltzmann-Wigner approach to device simulation
Goldsman, N.
et al.
| 2000
177
Simulation of nanoscale MOSFETs: A scattering theory interpretation
Ren, Z.
et al.
| 2000
191
Modeling of MOS scaling with emphasis on gate tunneling and source-drain resistance
Choi, C.-H.
et al.
| 2000
207
Tinkering with the well-tempered MOSFET: Source-channel barrier modulation with high-permittivity dielectrics
Kencke, D.L.
et al.
| 2000
215
Statistical 3D 'atomistic' simulation of decanano MOSFETs
Asenov, A.
et al.
| 2000
229
Hydrogen and hot electron defect creation at the Si(100)-SiO2 interface of metal-oxide-semiconductor field effect transistors
Tuttle, B.
et al.
| 2000