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Ausgabe 2
Band 42,
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Band 39,
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Band 39,
Ausgabe 1
Band 36,
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Band 36,
Ausgabe 3
Band 36,
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Band 35,
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Band 18,
Ausgabe 6
Band 18,
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Band 17,
Ausgabe 6
Band 17,
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Band 17,
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Band 17,
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Band 16,
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Band 16,
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Band 15,
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Band 15,
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Band 14,
Ausgabe 6
Band 14,
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Band 14,
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Band 13,
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Band 13,
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Band 12,
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Band 12,
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Band 9,
Ausgabe 4
Band 9,
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Band 6,
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Band 6,
Ausgabe 1
Band 5,
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Band 5,
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Band 4,
Ausgabe 3
Band 4,
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Band 4,
Ausgabe 1
Band 3,
Ausgabe 3
Band 3,
Ausgabe 1
Band 2,
Ausgabe 3
Band 2,
Ausgabe 1
Band 1,
Ausgabe 3
Band 1,
Ausgabe 2
Band 1,
Ausgabe 1
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Inhaltsverzeichnis
1
Ion implantation from the past and into the future
Moffatt, S.
et al.
| 1995
7
Negative-ion implantation technique
Ishikawa, J.
et al.
| 1995
13
Beam energy purity in the Eaton NV-8200P ion implanter
Kamenitsa, D.E.
et al.
| 1995
18
Using a wedge oxide to monitor low energy beam purity by means of Therma-Wave measurements in the Eaton NV-8200P ion implanter
Kamenitsa, D.E.
et al.
| 1995
22
Charge neutralization in ion implanters
Smatlak, D.L.
et al.
| 1995
30
The precision implant 9500 plasma flood system - The advanced solution to wafer charging
Ito, H.
et al.
| 1995
34
Surface charge control during high-current ion implantation: Characterization with CHARM-2 sensors
Current, M.I.
et al.
| 1995
39
Charged particle energy spectrometers and their applications in fundamental studies of wafer charging and ion beam tuning phenomena
England, J.G.
et al.
| 1995
43
The charging mechanism of insulated electrode in negative-ion implantation
Sakai, S.
et al.
| 1995
48
Plasma model for charging damage
Vella, M.C.
et al.
| 1995
52
Studies of wafer surface charging using the THOR monitor device
Malone, P.
et al.
| 1995
56
Generation and transport of contamination in high current implanters
Blake, J.
et al.
| 1995
62
ULSI-process demands of contamination control on ion implantation
Natsuaki, N.
et al.
| 1995
68
Metals contamination in high and medium current implanters
Downey, D.F.
et al.
| 1995
75
Effects of energy, dose, and beam current on particle counts in medium-current phosphorus implants
Brewster, N.R.
et al.
| 1995
80
Particle generation in ion implanters
Mack, M.E.
et al.
| 1995
87
Trace elemental analysis of tungsten
Cherekdjian, S.
et al.
| 1995
92
Degradation of very thin gate dielectrics for MOS structures due to through-oxide ion implantation
Baumvol, I.J.R.
et al.
| 1995
99
Characterization of oxide layers grown on implanted silicon
Franco, G.
et al.
| 1995
104
Application of defect related generation current for low-dose ion implantation monitoring
Hazdra, P.
et al.
| 1995
109
Measurement of the distribution of damage in ion implanted GaAs by differential reflectance spectroscopy
Kraisingdecha, P.
et al.
| 1995
113
Surface characterization of semiconductors with plasma and thermal waves analysis
Buchmann, F.
et al.
| 1995
118
Reduction of measurement system variation using the Discrimination Ratio
Nunes, J.
et al.
| 1995
123
On the determination of two-dimensional carrier distributions
Vandervorst, W.
et al.
| 1995
133
Improved delineation technique for two dimensional dopant profiling
Gong, L.
et al.
| 1995
139
Two-dimensional profiling by selective etching: The role of implant induced secondary defects
Spinella, C.
et al.
| 1995
144
Mask edge effects in high energy implants: Dopant and defect distributions
Privitera, V.
et al.
| 1995
150
2 MeV aluminum implantation into silicon: Radiation damage
Pfeifer, B.
et al.
| 1995
155
Monte Carlo simulation of two-dimensional implanted dopant distributions at mask edges
Hobler, G.
et al.
| 1995
163
3D modeling of ion implantation into crystalline silicon: Influence of damage accumulation on dopant profiles
Posselt, M.
et al.
| 1995
168
Analytical modeling of lateral implantation profiles
Lorenz, J.
et al.
| 1995
173
Channeling implantation into chemical compounds
Nakagawa, S.T.
et al.
| 1995
179
Applications of focused ion beams to nondestructive analyses
Takai, M.
et al.
| 1995
187
Implantation and transient boron diffusion: The role of the silicon self-interstitial
Stolk, P.A.
et al.
| 1995
196
Studies of point defect-dislocation loop interaction processes in silicon
Jones, K.S.
et al.
| 1995
202
On the relation between dopant anomalous diffusion in Si and end-of-range defects
Claverie, A.
et al.
| 1995
210
Point defects observed in crystalline silicon implanted by MeV Si ions at elevated temperatures
Lalita, J.
et al.
| 1995
215
EPR and X-ray diffraction study of damage produced by implantation of B ions (50 keV, 1 MeV) or Si ions (50 keV, 700 keV, 1.5 MeV) into silicon
Sealy, L.
et al.
| 1995
219
Defect evolution in ion implanted crystalline Si probed by in situ conductivity measurements
Battaglia, A.
et al.
| 1995
223
Recombination enhanced suppression of deep trap accumulation in silicon during He+ ion implantation
Erokhin, Yu N.
et al.
| 1995
227
Pre-amorphization damage study in as-implanted silicon
Cellini, C.
et al.
| 1995
232
Dopant, defects and oxygen interaction in MeV implanted Czochralski silicon
La Ferla, A.
et al.
| 1995
236
Variation of end of range density with ion beam energy and the predictions of the "excess interstitials" model
Laânab, L.
et al.
| 1995
241
Optical absorption in ion implanted Si films
Zammit, U.
et al.
| 1995
245
Deep defect levels and mechanical strain in Ge+-implanted silicon
Suprun-Belevich, Yu R.
et al.
| 1995
249
Gettering of metals by He induced voids in silicon
Raineri, V.
et al.
| 1995
253
Proximity gettering of Au to ion beam induced defects in silicon
Wong-Leung, J.
et al.
| 1995
257
Proximity gettering of transition metals in silicon by ion implantation
Overwijk, M.H.F.
et al.
| 1995
261
Transient kinetics in solid phase epitaxy of Ni doped amorphous silicon
Kuznetsov, A.Yu
et al.
| 1995
265
Control of defects in C+, Ge+, and Er+ implanted Si using post amorphization and solid phase regrowth
Cristiano, F.
et al.
| 1995
271
Point defect induced SPE growth of Ni implanted silicon
Vyatkin, A.F.
et al.
| 1995
276
Ion-beam induced relaxation of strained GexSi1-x layers
Kringhøj, P.
et al.
| 1995
281
Thermodynamic behaviour of GeO2 formed by oxygen implantation into relaxed Si0.5Ge0.5 alloy
Zhang, J.P.
et al.
| 1995
286
High-dose Ge+ implantation into silicon at elevated substrate temperature
Chen, Nan Xiang
et al.
| 1995
290
A comparative study of MeV and medium-energy ion implantation into III-V compounds
Wesch, W.
et al.
| 1995
294
Inversion of dose rate effects in ion implanted gallium arsenide in the low dose regime
Jasper, C.
et al.
| 1995
298
2 MeV As+ implantation in InAs
Wendler, E.
et al.
| 1995
302
Channeling investigations of MeV Zn implanted InP
Kling, A.
et al.
| 1995
307
MeV energy implantation of Fe in InP
Carnera, A.
et al.
| 1995
311
Ion implantation of group IV or VI elements for n-type doping of InP
Ridgway, M.C.
et al.
| 1995
315
Defect recovery of ion implanted InP
Weyer, G.
et al.
| 1995
319
Viscosity of amorphous InP during room temperature structural relaxation
Cliche, L.
et al.
| 1995
323
High-energy ion implantation for electrical isolation of InP-based materials and devices
Ridgway, M.C.
et al.
| 1995
327
Synthesis of semi-insulating GaAs by As implantation and thermal annealing: Structural and electrical properties
Claverie, A.
et al.
| 1995
331
Hyperthermal (30-500 eV) C+ ion-beam doping into GaAs during molecular beam epitaxy
Iida, T.
et al.
| 1995
335
High temperature ion implantation of silicon carbide
Wesch, W.
et al.
| 1995
339
Optical and structural properties of hydrogen implanted silicon carbon alloys
Compagnini, G.
et al.
| 1995
343
Ion bombardment of C60: Raman study of amorphization and polymerization
Palmetshofer, L.
et al.
| 1995
347
Ion beam synthesis of yttrium silicides in (111)Si
Jin, S.
et al.
| 1995
352
Growth of epitaxial CoSi2 on SIMOX material by a solid-phase reaction of deposited TiN-Co-Ti layers
Liu, P.
et al.
| 1995
356
Ternary iron-cobalt silicide fabricated by ion beam synthesis
Harry, M.A.
et al.
| 1995
361
Thermal stability of TiSi2 on ion implanted silicon
Chen, J.F.
et al.
| 1995
366
Depth, phase and coarsening evolution of FeSi2 precipitates upon thermal annealing
Maltez, R.L.
et al.
| 1995
370
Ion implantation for optical applications
Buchal, Ch
et al.
| 1995
374
Room temperature light emitting silicon diodes fabricated by erbium ion implantation
Franza, G.
et al.
| 1995
378
Room-temperature luminescence in semi-insulating polycrystalline silicon implanted with Er
Lombardo, S.
et al.
| 1995
382
Irradiation-induced Ag-colloid formation in ion-exchanged soda-lime glass
Caccavale, F.
et al.
| 1995
387
Visible photoluminescence at room temperature from microcrystalline silicon precipitates in SiO2 formed by ion implantation
Komoda, T.
et al.
| 1995
392
Thermal crystallization of Er+-implanted KTiOPO4 single crystals
Bachmann, T.
et al.
| 1995
397
CL characterization and depth distributions of waveguide materials after 400 keV Eu implantations
Can, N.
et al.
| 1995
401
Fabrication of bifocal microlenses on InP and Si by Ar ion beam etching
Ren, Cx
et al.
| 1995
405
Application of advanced ion implantation techniques to Flash memories
Cappelletti, P.
et al.
| 1995
411
Comparison of retrograde and conventional p-wells in regard of latch-up susceptibility
Bogen, S.
et al.
| 1995
416
High energy ion implantation for profiled tub formation and impurity gettering in deep submicron CMOS technology
Jacobson, D.C.
et al.
| 1995
420
SIMOX - A new challenge for ion implantation
Auberton-Herve, A.
et al.
| 1995
425
Ion-induced current measurement for optimization of buried implanted layers against soft errors
Takai, M.
et al.
| 1995
429
Large-scale implantation and deposition research at Los Alamos National Laboratory
Wood, B.P.
et al.
| 1995
435
Modelling of charging effects in plasma immersion ion implantation
En, W.
et al.
| 1995
Committees, Sponsors and Exhibitors
| 1995
Editorial
| 1995