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Band 15,
Ausgabe 6
Band 15,
Ausgabe 5
Band 15,
Ausgabe 4
Band 15,
Ausgabe 3
Band 15,
Ausgabe 2
Band 15,
Ausgabe 1
Band 14,
Ausgabe 12
Band 14,
Ausgabe 11
Band 14,
Ausgabe 10
Band 14,
Ausgabe 9
Band 14,
Ausgabe 8
Band 14,
Ausgabe 7
Band 14,
Ausgabe 6
Band 14,
Ausgabe 5
Band 14,
Ausgabe 4
Band 14,
Ausgabe 3
Band 14,
Ausgabe 2
Band 14,
Ausgabe 1
Band 13,
Ausgabe 12
Band 13,
Ausgabe 11
Band 13,
Ausgabe 10
Band 13,
Ausgabe 8
Band 13,
Ausgabe 7
Band 13,
Ausgabe 6
Band 13,
Ausgabe 5
Band 13,
Ausgabe 4
Band 13,
Ausgabe 3
Band 13,
Ausgabe 2
Band 13,
Ausgabe 1
Band 12,
Ausgabe 12
Band 12,
Ausgabe 11
Band 12,
Ausgabe 10
Band 12,
Ausgabe 9
Band 12,
Ausgabe 8
Band 12,
Ausgabe 7
Band 12,
Ausgabe 6
Band 12,
Ausgabe 5
Band 12,
Ausgabe 4
Band 12,
Ausgabe 3
Band 12,
Ausgabe 2
Band 12,
Ausgabe 1
Band 11,
Ausgabe 12
Band 11,
Ausgabe 11
Band 11,
Ausgabe 10
Band 11,
Ausgabe 9
Band 11,
Ausgabe 8
Band 11,
Ausgabe 7
Band 11,
Ausgabe 6
Band 11,
Ausgabe 5
Band 11,
Ausgabe 4
Band 11,
Ausgabe 3
Band 11,
Ausgabe 2
Band 11,
Ausgabe 1
Band 10,
Ausgabe 6
Band 10,
Ausgabe 5
Band 10,
Ausgabe 4
Band 10,
Ausgabe 3
Band 10,
Ausgabe 2
Band 10,
Ausgabe 1
>
Inhaltsverzeichnis
613
Changes in the editorial board
Verret, D.
et al.
| 2001
614
PAPERS - Compound Semiconductor Devices - Equivalent Circuit Parameters of Resonant Tunneling Diodes Extracted from Self-Consistent Wigner-Poisson Simulation
Zhao, P.
et al.
| 2001
614
Equivalent circuit parameters of resonant tunneling diodes extracted from self-consistent Wigner-Poisson simulation
Peiji Zhao,
/ Hong Liang Cui,
/ Woolard, D.L.
et al.
| 2001
628
PAPERS - Compound Semiconductor Devices - Low Frequency Gate Noise in a Diode-Connected MESFET: Measurements and Modeling
Lambert, B.
et al.
| 2001
628
Low frequency gate noise in a diode-connected MESFET: measurements and modeling
Lambert, B.
/ Malbert, N.
/ Verdier, F.
et al.
| 2001
634
GaAs MOSFETs fabrication with a selective liquid phase oxidized gate
Jau-Yi Wu,
/ Hwei-Heng Wang,
/ Yeong-Her Wang,
et al.
| 2001
634
PAPERS - Compound Semiconductor Devices - GaAs MOSFET's Fabrication with a Selective Liquid Phase Oxidized Gate
Wu, J.-Y.
et al.
| 2001
638
Stochastic interconnect modeling, power trends, and performance characterization of 3-D circuits
Rongtian Zhang,
/ Roy, K.
/ Cheng-Kok Koh,
et al.
| 2001
638
PAPERS - Materials Processing and Packaging - Stochastic Interconnect Modeling, Power Trends, and Performance Characterization of 3-D Circuits
Zhang, R.
et al.
| 2001
653
PAPERS - Optoelectronics, Displays, Imaging - Comprehensive Understandings on the High Dielectric Constant Insulating Layers for Alternating-Current Thin-Film Electroluminescent Devices
Lee, Y.-H.
et al.
| 2001
653
Comprehensive understanding on the high dielectric constant insulating layers for alternating-current thin-film electroluminescent devices
Yun-Hi Lee,
/ Byeong-Kwon Ju,
/ Dong-Ho Kim,
et al.
| 2001
661
Temperature dependent studies of InP/InGaAs avalanche photodiodes based on time domain modeling
Xiao, Y.G.
/ Deen, M.J.
et al.
| 2001
661
PAPERS - Optoelectronics, Displays, Imaging - Temperature Dependent Studies of InP-InGaAs Avalanche Photodiodes Based on Time Domain Modeling
Xiao, Y.G.
et al.
| 2001
671
PAPERS - Reliability - Projecting Lifetime of Deep Submicron MOSFETs
Li, E.
et al.
| 2001
671
Projecting lifetime of deep submicron MOSFETs
Erhon Li,
/ Rosenbaum, E.
/ Jiang Tao,
et al.
| 2001
679
PAPERS - Reliability - Performance and Hot-Carrier Reliability of 100 nm Channel Length Jet Vapor Deposited Si3N4 MNSFETs
Mahapatra, S.
et al.
| 2001
679
Performance and hot-carrier reliability of 100 nm channel length jet vapor deposited Si/sub 3/N/sub 4/ MNSFETs
Mahapatra, S.
/ Rao, V.R.
/ Cheng, B.
et al.
| 2001
685
PAPERS - Reliability - "Gated-Diode" in SOI MOSFETs: A Sensitive Tool for Characterizing the Buried Si-SiO2 Interface
Zhao, X.
et al.
| 2001
685
"Gated-diode" in SOI MOSFETs: a sensitive tool for characterizing the buried Si/SiO/sub 2/ interface
Xuejun Zhao,
/ Ioannou, D.E.
et al.
| 2001
688
PAPERS - Reliability - Determination and Assessment of the Floating-Body Voltage of SOI CMOS Devices
Imam, M.A.
et al.
| 2001
688
Determination and assessment of the floating-body voltage of SOI CMOS devices
Imam, M.A.
/ Osman, M.A.
/ Osman, A.A.
et al.
| 2001
696
PAPERS - Silicon Devices - Charge-Trap Memory Device Fabricated by Oxidation of Si1-xGEx
King, Y.-C.
et al.
| 2001
696
Charge-trap memory device fabricated by oxidation of Si1-x Gex
King, Ya-chin
/ King, Tsu-Jae
/ Hu, Chenming
et al.
| 2001
696
Charge-trap memory device fabricated by oxidation of Si/sub 1-x/Ge/sub x/
Ya-Chin King,
/ Tsu-Jae King,
/ Chenming Hu,
et al.
| 2001
701
PAPERS - Silicon Devices - On-Current Modeling of Large-Grain Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors
Farmakis, F.V.
et al.
| 2001
701
On-current modeling of large-grain polycrystalline silicon thin-film transistors
Farmakis, F.V.
/ Brini, J.
/ Kamarinos, G.
et al.
| 2001
707
Integrated amorphous and polycrystalline silicon thin-film transistors in a single silicon layer
Pangal, K.
/ Sturm, J.C.
/ Wagner, S.
et al.
| 2001
707
PAPERS - Silicon Devices - Integrated Amorphous and Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors in a Single Silicon Layer
Pangal, K.
et al.
| 2001
715
PAPERS - Silicon Devices - Semiclassical and Wave-Mechanical Modeling of Charge Control and Direct Tunneling Leakage in MOS and H-MOS Devices with Ultrathin Oxides
Cassan, E.
et al.
| 2001
715
Semiclassical and wave mechanical modeling of charge control and direct tunneling leakage in MOS and H-MOS devices with ultra-thin oxides
Cassan, E.
/ Dollfus, P.
/ Galdin, S.
et al.
| 2001
722
Increase in the random dopant induced threshold fluctuations and lowering in sub-100 nm MOSFETs due to quantum effects: a 3-D density-gradient simulation study
Asenov, A.
/ Slavcheva, G.
/ Brown, A.R.
et al.
| 2001
722
PAPERS - Silicon Devices - Increase in the Random Dopant Induced Threshold Fluctuations and Lowering in Sub-100 nm MOSFETs Due to Quantum Effects: A 3-D Density-Gradient Simulation Study
Asenov, A.
et al.
| 2001
730
SOI thermal impedance extraction methodology and its significance for circuit simulation
Wei Jin,
/ Weidong Liu,
/ Fung, S.K.H.
et al.
| 2001
730
PAPERS - Silicon Devices - SOI Thermal Impedance Extraction Methodology and Its Significance for Circuit Simulation
Jin, W.
et al.
| 2001
737
Improved three-step de-embedding method to accurately account for the influence of pad parasitics in silicon on-wafer RF test-structures
Vandamme, E.P.
/ Schreurs, D.M.M.-P.
/ Van Dinther, G.
et al.
| 2001
737
PAPERS - Silicon Devices - Improved Three-Step De-Embedding Method to Accurately Account for the Influence of Pad Parasitics in Silicon On-Wafer RF Test-Structures
Vandamme, E.P.
et al.
| 2001
743
High reliability polyoxide fabricated by using TEOS oxide deposited on disilane polysilicon film
Jam Wem Lee,
/ Chung-Len Lee,
/ Tan Fu Lei,
et al.
| 2001
743
PAPERS - Silicon Devices - High Reliability Polyoxide Fabricated by Using TEOS Oxide Deposited on Disilane Polysilicon Film
Lee, J.W.
et al.
| 2001
750
Novel low-temperature C-V technique for MOS doping profile determination near the Si/SiO/sub 2/ interface
Pirovano, A.
/ Lacaita, A.L.
/ Pacelli, A.
et al.
| 2001
750
PAPERS - Silicon Devices - Novel Low-Temperature C-V Technique for MOS Doping Profile Determination Near the Si-SiO2 Interface
Pirovano, A.
et al.
| 2001
758
Error analysis leading to design criteria for transmission line model characterization of ohmic contacts
Haw-Jye Ueng,
/ Janes, D.B.
/ Webb, K.J.
et al.
| 2001
758
PAPERS - Solid State Device Phenomena - Error Analysis Leading to Design Criteria for Transmission Line Model Characterization of Ohmic Contacts
Ueng, H.-J.
et al.
| 2001
767
PAPERS - Solid State Device Phenomena - Transimpedance Amplifier-Based Full Low-Frequency Noise Characterization Setup for Si-SiGe HBTs
Bary, L.
et al.
| 2001
767
Transimpedance amplifier-based full low-frequency noise characterization setup for Si/SiGe HBTs
Bary, L.
/ Borgarino, M.
/ Plana, R.
et al.
| 2001
774
PAPERS - Solid State Device Phenomena - Influence of Impact-Ionization-Induced Instabilities on the Maximum Usable Output Voltage of Si-Bipolar Transistors
Rickelt, M.
et al.
| 2001
774
Influence of impact-ionization-induced instabilities on the maximum usable output voltage of Si-bipolar transistors
Rickelt, M.
/ Rein, H.-M.
/ Rose, E.
et al.
| 2001
784
A new technique to extract channel mobility in submicron MOSFETs using inversion charge slope obtained from measured S-parameters
Seonghearn Lee,
/ Hyun Kyu Yu,
et al.
| 2001
784
PAPERS - Solid State Device Phenomena - A New Technique to Extract Channel Mobility in Submicron MOSFETs Using Inversion Charge Slope Obtained from Measured S-Parameters
Lee, S.
et al.
| 2001
789
Overvoltage self-protection structure of a light-triggered thyristor
Katoh, S.
/ Yamazumi, S.
/ Watanabe, A.
et al.
| 2001
789
PAPERS - Solid-State Power and High Voltage - Overvoltage Self-Protection Structure of a Light-Triggered Thyristor
Katoh, S.
et al.
| 2001
794
PAPERS - Solid-State Sensors and Actuators - Metal-Induced Laterally Crystallized Polycrystalline Silicon for Integrated Sensor Applications
Wang, M.
et al.
| 2001
794
Metal-induced laterally crystallized polycrystalline silicon for integrated sensor applications
Mingxiang Wang,
/ Zhiguo Meng,
/ Zohar, Y.
et al.
| 2001
801
BRIEFS - Using Porous Silicon as Semi-Insulating Substrate for b-SiC High Temperature Optical-Sensing Devices
Hsieh, W.T.
et al.
| 2001
801
Using porous silicon as semi-insulating substrate for /spl beta/-SiC high temperature optical-sensing devices
Hsieh, W.T.
/ Fang, Y.K.
/ Wu, K.H.
et al.
| 2001
801
Using porous silicon as semi-insulating substrate for beta -SiC high temperature optical-sensing devices
Hsieh, W.T.
/ Fang, Y.K.
/ Wu, K.H.
et al.
| 2001
803
Noise modeling and characterization for 1.5-V 1.8-GHz SOI low-noise amplifier
Wei Jin,
/ Weidong Liu,
/ Chaohe Hai,
et al.
| 2001
803
BRIEFS - Noise Modeling and Characterization for 1.5-V 1.8-GHz SOI Low-Noise Amplifier
Jin, W.
et al.
| 2001
809
BRIEFS - New Approach for Defining the Threshold Voltage of MOSFETs
Salcedo, J.A.
et al.
| 2001
809
New approach for defining the threshold voltage of MOSFETs
Salcedo, J.A.
/ Ortiz-Conde, A.
/ Sanchez, E.J.G.
et al.
| 2001
813
Deuterium isotope effect for AC and DC hot-carrier degradation of MOS transistors: a comparison study
Zhi Chen,
/ Kangguo Cheng,
/ Jinju Lee,
et al.
| 2001
813
BRIEFS - Deuterium Isotope Effect for AC and DC Hot-Carrier Degradation of MOS Transistors: A Comparison Study
Chen, Z.
et al.
| 2001
815
A triple-beam 6.7 GHz, 340 kW monotron
Barroso, J.J.
et al.
| 2001
815
BRIEFS - A Triple-Beam 6.7 GHz, 340 kW Monotron
Barroso, J.J.
et al.
| 2001
817
Fast programming/erasing of thin-oxide EEPROMs
Versari, R.
/ Pieracci, A.
/ Ricco, B.
et al.
| 2001
817
BRIEFS - Fast Programming-Erasing of Thin-Oxide EEPROMs
Versari, R.
et al.
| 2001
820
BRIEFS - DC and High-Frequency Characteristics of GaN-Based IMPATTs
Panda, A.K.
et al.
| 2001
820
DC and high-frequency characteristics of GaN-based IMPATTs
Panda, A.K.
/ Pavlidis, D.
/ Alekseev, E.
et al.
| 2001
823
Novel nonalloyed thermally stable Pd/Sn and Pd/Sn/Au ohmic contacts for the fabrication of GaAs MESFETs
Islam, M.S.
/ McNally, P.J.
et al.
| 2001
823
BRIEFS - Novel Nonalloyed Thermally Stable Pd-Sn and Pd-Sn-Au Ohmic Contacts for the Fabrication of GaAs MESFETs
Islam, M.S.
et al.
| 2001