AlGaAs/InGaAs PHEMTs With Asymmetrically Recessed Gates Achieved Through a Four Layer Resist Process (Englisch)
- Neue Suche nach: Grundbacher, R.
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- Neue Suche nach: Fazzio, A.
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- Neue Suche nach: University of Sao Paulo; Instituto de Fisica
In:
Semiconductor physics
4
;
130-133
;
1997
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ISSN:
- Aufsatz (Konferenz) / Print
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Titel:AlGaAs/InGaAs PHEMTs With Asymmetrically Recessed Gates Achieved Through a Four Layer Resist Process
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Beteiligte:Grundbacher, R. ( Autor:in ) / Ketterson, A. A. ( Autor:in ) / Kao, Y.-C. ( Autor:in ) / Adesida, L. ( Autor:in ) / Fazzio, A. / Ferraz, A. C. / University of Sao Paulo; Instituto de Fisica
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Kongress:Brazilian workshop; 8th, Semiconductor physics ; 1997 ; Aguas de Lindoia; Brazil
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Erschienen in:Semiconductor physics , 4 ; 130-133BRAZILIAN JOURNAL OF PHYSICS ; 27/a, 4 ; 130-133
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Verlag:
- Neue Suche nach: Sociadade Brasileira de Fisica
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Erscheinungsdatum:01.01.1997
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Format / Umfang:4 pages
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ISSN:
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Medientyp:Aufsatz (Konferenz)
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Format:Print
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Sprache:Englisch
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Schlagwörter:
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Datenquelle:
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