Indice de refraccion del semiconductor AgGaSe~2 bajo alta presion (Englisch)
- Neue Suche nach: Calderon, E.
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In:
Fisica del estado solido
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232-235
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1998
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ISSN:
- Aufsatz (Konferenz) / Print
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Titel:Indice de refraccion del semiconductor AgGaSe~2 bajo alta presion
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Beteiligte:Calderon, E. ( Autor:in ) / Gonzalez, J. ( Autor:in ) / Chervin, J. C. ( Autor:in ) / Marquina, M. L. / Carrizales, J. M. M. / Lopez, J. L. M. / Falicov, L. M.
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Kongress:Simposio Latinoamericano; 14, Fisica del estado solido ; 1998 ; Oaxaca; Mexico
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Erschienen in:Fisica del estado solido ; 232-235REVISTA MEXICANA DE FISICA ; 44 ; 232-235
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Verlag:
- Neue Suche nach: Sociedad Mexicana de Fisica
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Erscheinungsdatum:01.01.1998
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Format / Umfang:4 pages
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Anmerkungen:Text in English or Spanish, summaries in English and Spanish
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ISSN:
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Medientyp:Aufsatz (Konferenz)
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Format:Print
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Sprache:Englisch
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Schlagwörter:
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Datenquelle:
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