Hot Electrons and Holes in Highly Photoexcited GaN Epilayers (Englisch)
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In:
Optical, structural and electrical properties of group-III nitrides: papers presented at the third international conference on nitride semiconductors
1
;
495-500
;
1999
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ISSN:
- Aufsatz (Konferenz) / Print
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Titel:Hot Electrons and Holes in Highly Photoexcited GaN Epilayers
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Beteiligte:Zukauskas, A. ( Autor:in ) / Tamulaitis, G. ( Autor:in ) / Gaska, R. ( Autor:in ) / Shur, M. S. ( Autor:in )
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Kongress:International conference on nitride semiconductors; 3rd, Optical, structural and electrical properties of group-III nitrides: papers presented at the third international conference on nitride semiconductors ; 1999 ; Montpellier; France
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Erschienen in:PHYSICA STATUS SOLIDI B BASIC RESEARCH ; 216, 1 ; 495-500
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Verlag:
- Neue Suche nach: Wiley-VCH
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Erscheinungsdatum:01.01.1999
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Format / Umfang:6 pages
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Anmerkungen:Also known as ICNS'99; See also 6475.220 vol 176 no 1 1999 for further selected papers
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ISSN:
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Medientyp:Aufsatz (Konferenz)
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Format:Print
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Sprache:Englisch
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Schlagwörter:
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Datenquelle:
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