Using SOITFTs to Investigate Gate-Oxide Degradation in Low-Temperature Poly-Si TFTs (Englisch)
- Neue Suche nach: Matsumura, M.
- Neue Suche nach: Toyota, Y.
- Neue Suche nach: Itoga, T.
- Neue Suche nach: Shiba, T.
- Neue Suche nach: Kamo, T.
- Neue Suche nach: Ohkura, M.
- Neue Suche nach: Japan Society of Applied Physics
- Neue Suche nach: Matsumura, M.
- Neue Suche nach: Toyota, Y.
- Neue Suche nach: Itoga, T.
- Neue Suche nach: Shiba, T.
- Neue Suche nach: Kamo, T.
- Neue Suche nach: Ohkura, M.
- Neue Suche nach: Japan Society of Applied Physics
In:
International Workshop on Actvie Matrix Liquid Crystal Displays; AM-LCD 02
;
243-246
;
2002
- Aufsatz (Konferenz) / Print
-
Titel:Using SOITFTs to Investigate Gate-Oxide Degradation in Low-Temperature Poly-Si TFTs
-
Beteiligte:Matsumura, M. ( Autor:in ) / Toyota, Y. ( Autor:in ) / Itoga, T. ( Autor:in ) / Shiba, T. ( Autor:in ) / Kamo, T. ( Autor:in ) / Ohkura, M. ( Autor:in ) / Japan Society of Applied Physics
-
Kongress:International Workshop on Actvie Matrix Liquid Crystal Displays; AM-LCD 02 ; 2002 ; Tokyo, Japan
-
Erschienen in:
-
Verlag:
- Neue Suche nach: Japan Society of Applied Physics,
-
Erscheinungsort:Tokyo:
-
Erscheinungsdatum:01.01.2002
-
Format / Umfang:4 pages
-
Anmerkungen:Includes bibliographic references
-
Medientyp:Aufsatz (Konferenz)
-
Format:Print
-
Sprache:Englisch
-
Schlagwörter:
-
Datenquelle:
© Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.