Investigation of the Temperature Degradation and Re-Activation of the Luminescent Centres in Rare Earth Implanted SiO~2 Layers (Englisch)
- Neue Suche nach: Prucnal, S.
- Neue Suche nach: Rebohle, L.
- Neue Suche nach: Skorupa, W.
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- Neue Suche nach: Rebohle, L.
- Neue Suche nach: Skorupa, W.
- Neue Suche nach: Cavallini, A.
In:
Gettering and defect engineering in semiconductor technology; GADEST 2007
;
595-600
;
2008
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ISSN:
- Aufsatz (Konferenz) / Print
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Titel:Investigation of the Temperature Degradation and Re-Activation of the Luminescent Centres in Rare Earth Implanted SiO~2 Layers
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Beteiligte:
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Kongress:CONFERENCE; 12th, Gettering and defect engineering in semiconductor technology; GADEST 2007 ; 2007 ; Erice, Italy
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Erschienen in:DIFFUSION AND DEFECT DATA PART B, SOLID STATE PHENOMENA ; 131/133 ; 595-600
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Verlag:
- Neue Suche nach: Trans Tech
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Erscheinungsort:Stafa-Zurich , United Kingdom
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Erscheinungsdatum:01.01.2008
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Format / Umfang:6 pages
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Anmerkungen:Includes bibliographical references and index
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ISSN:
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Medientyp:Aufsatz (Konferenz)
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Format:Print
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Sprache:Englisch
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Schlagwörter:
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Datenquelle:
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