^5^7Fe diffusion in n-type Si after GeV implantation of ^5^7Mn (Englisch)
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In:
International conference on defects in semiconductors; ICDS-24
;
101-104
;
2007
-
ISSN:
- Aufsatz (Konferenz) / Print
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Titel:^5^7Fe diffusion in n-type Si after GeV implantation of ^5^7Mn
-
Beteiligte:Yoshida, Y. ( Autor:in ) / Kobayashi, Y. ( Autor:in ) / Yukihira, K. ( Autor:in ) / Hayakawa, K. ( Autor:in ) / Suzuki, K. ( Autor:in ) / Yoshida, A. ( Autor:in ) / Ueno, H. ( Autor:in ) / Yoshimi, A. ( Autor:in ) / Shimada, K. ( Autor:in ) / Nagae, D. ( Autor:in )
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Kongress:24th, International conference on defects in semiconductors; ICDS-24 ; 2007 ; Albuquerque, NM
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Erschienen in:PHYSICA B ; 401/402 ; 101-104
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Verlag:
- Neue Suche nach: Elsevier
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Erscheinungsdatum:01.01.2007
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Format / Umfang:4 pages
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ISSN:
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Medientyp:Aufsatz (Konferenz)
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Format:Print
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Sprache:Englisch
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Schlagwörter:
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Datenquelle:
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