^8Li in GaAs studied with beta -NMR (Englisch)
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In:
International conference on defects in semiconductors; ICDS-24
;
254-257
;
2007
-
ISSN:
- Aufsatz (Konferenz) / Print
-
Titel:^8Li in GaAs studied with beta -NMR
-
Beteiligte:Dunlop, T. ( Autor:in ) / Mansour, A.I. ( Autor:in ) / Salman, Z. ( Autor:in ) / Chow, K.H. ( Autor:in ) / Fan, I. ( Autor:in ) / Jung, J. ( Autor:in ) / Kiefl, R.F. ( Autor:in ) / Kreitzman, S.R. ( Autor:in ) / Levy, C.D.P. ( Autor:in ) / MacFarlane, W.A. ( Autor:in )
-
Kongress:24th, International conference on defects in semiconductors; ICDS-24 ; 2007 ; Albuquerque, NM
-
Erschienen in:PHYSICA B ; 401/402 ; 254-257
-
Verlag:
- Neue Suche nach: Elsevier
-
Erscheinungsdatum:01.01.2007
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Format / Umfang:4 pages
-
ISSN:
-
Medientyp:Aufsatz (Konferenz)
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Format:Print
-
Sprache:Englisch
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Schlagwörter:
-
Datenquelle:
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