Study of a Metal Gate and Silicon Selective ``Dry Ash Only'' Process for Combined Extension and Halo Implanted Photo Resist (Englisch)
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In:
Ultra clean processing of semiconductor surfaces; UCPSS 2006
;
113-116
;
2008
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ISSN:
- Aufsatz (Konferenz) / Print
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Titel:Study of a Metal Gate and Silicon Selective ``Dry Ash Only'' Process for Combined Extension and Halo Implanted Photo Resist
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Beteiligte:Mannaert, G. ( Autor:in ) / Baklanov, M.R. ( Autor:in ) / Goossens, D. ( Autor:in ) / Vertommen, J. ( Autor:in ) / Boullart, W. ( Autor:in ) / Mertens, Paul / Meuris, Marc / Heyns, Marc
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Kongress:International symposium; 8th, Ultra clean processing of semiconductor surfaces; UCPSS 2006 ; 2006 ; Antwerp, Belgium
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Erschienen in:DIFFUSION AND DEFECT DATA PART B SOLID STATE PHENOMENA ; 134 ; 113-116
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Verlag:
- Neue Suche nach: Trans Tech Publications
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Erscheinungsort:Switzerland , United Kingdom
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Erscheinungsdatum:01.01.2008
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Format / Umfang:4 pages
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Anmerkungen:Previous conference known as the 'Ultra clean processing of silicon surfaces' (7th 2004)
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ISSN:
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Medientyp:Aufsatz (Konferenz)
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Format:Print
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Sprache:Englisch
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Schlagwörter:
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Datenquelle:
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