12-01 Etch of Yb-Doped Poly Gates to Achieve Low-Vt Ni-FUSI CMOS (Englisch)
- Neue Suche nach: Demand, M.
- Neue Suche nach: Paraschiv, V.
- Neue Suche nach: Shamiryan, D.
- Neue Suche nach: Veloso, A.
- Neue Suche nach: Vrancken, C.
- Neue Suche nach: Brus, S.
- Neue Suche nach: Boullart, W.
- Neue Suche nach: Denki Gakkai (1888)
- Neue Suche nach: Demand, M.
- Neue Suche nach: Paraschiv, V.
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- Neue Suche nach: Veloso, A.
- Neue Suche nach: Vrancken, C.
- Neue Suche nach: Brus, S.
- Neue Suche nach: Boullart, W.
- Neue Suche nach: Denki Gakkai (1888)
In:
International symposium on dry process
;
289-290
;
2007
- Aufsatz (Konferenz) / Print
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Titel:12-01 Etch of Yb-Doped Poly Gates to Achieve Low-Vt Ni-FUSI CMOS
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Beteiligte:Demand, M. ( Autor:in ) / Paraschiv, V. ( Autor:in ) / Shamiryan, D. ( Autor:in ) / Veloso, A. ( Autor:in ) / Vrancken, C. ( Autor:in ) / Brus, S. ( Autor:in ) / Boullart, W. ( Autor:in ) / Denki Gakkai (1888)
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Kongress:29th, International symposium on dry process ; 2007 ; Tokyo, Japan
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Erschienen in:International symposium on dry process ; 289-290
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Verlag:
- Neue Suche nach: Institute of Electrical Engineers of Japan
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Erscheinungsdatum:01.01.2007
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Format / Umfang:2 pages
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Anmerkungen:Also held in Oriental Records on CD-ROM.
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Medientyp:Aufsatz (Konferenz)
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Format:Print
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Sprache:Englisch
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Schlagwörter:
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Datenquelle:
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