ZnO by ALD - Advantages of the Material Grown at Low Temperature (Englisch)
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- Neue Suche nach: Polish Academy of Sciences
In:
International school on the physics of semiconducting compounds
5
;
814-817
;
2009
-
ISSN:
- Aufsatz (Konferenz) / Print
-
Titel:ZnO by ALD - Advantages of the Material Grown at Low Temperature
-
Beteiligte:Guziewicz, E. ( Autor:in ) / Godlewski, M. ( Autor:in ) / Krajewski, T.A. ( Autor:in ) / Wachnicki, L. ( Autor:in ) / Luka, G. ( Autor:in ) / Paszkowicz, W. ( Autor:in ) / Domagala, J.Z. ( Autor:in ) / Przezdziecka, E. ( Autor:in ) / Lusakowska, E. ( Autor:in ) / Witkowski, B.S. ( Autor:in )
-
Kongress:38th, International school on the physics of semiconducting compounds ; 2009 ; Krynica-Zdroj, Poland
-
Erschienen in:ACTA PHYSICA POLONICA SERIES A ; 116, 5 ; 814-817
-
Verlag:
- Neue Suche nach: Institute of Physics, Polish Academy of Sciences
-
Erscheinungsdatum:01.01.2009
-
Format / Umfang:4 pages
-
ISSN:
-
Medientyp:Aufsatz (Konferenz)
-
Format:Print
-
Sprache:Englisch
-
Schlagwörter:
-
Datenquelle:
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