Use of the Asymmetric Planar Hall Resistance of an Fe Film for Possible Multi-Value Memory Device Applications (Englisch)
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- Neue Suche nach: Furdyna, J.K.
- Neue Suche nach: Jang, M.
In:
NANO KOREA
7
;
5990-5994
;
2011
-
ISSN:
- Aufsatz (Konferenz) / Print
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Titel:Use of the Asymmetric Planar Hall Resistance of an Fe Film for Possible Multi-Value Memory Device Applications
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Beteiligte:
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Kongress:Symposium, NANO KOREA ; 2010 ; Ilsan, Korea
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Erschienen in:NANO KOREA , 7 ; 5990-5994JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY ; 11, 7 ; 5990-5994
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Verlag:
- Neue Suche nach: American Scientific Publishers
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Erscheinungsdatum:01.01.2011
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Format / Umfang:5 pages
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ISSN:
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Medientyp:Aufsatz (Konferenz)
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Format:Print
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Sprache:Englisch
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Schlagwörter:
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Datenquelle:
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