Electromodulation spectroscopy of optical transitions and electric field distribution in GaN/AlGaN/GaN transistor heterostructures with various AlGaN layer thicknesses (Englisch)
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In:
Group III nitrides and their heterostructures for electronics and photonics; E-MRS ICAM IUMRS 2011 spring meeting: symposium F : Group III nitrides and their heterostructures for electronics and photonics /
3-4
;
1092-1095
;
2012
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ISSN:
- Aufsatz (Konferenz) / Print
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Titel:Electromodulation spectroscopy of optical transitions and electric field distribution in GaN/AlGaN/GaN transistor heterostructures with various AlGaN layer thicknesses
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Beteiligte:Kudrawiec, R. ( Autor:in ) / Gladysiewicz, M. ( Autor:in ) / Misiewicz, J. ( Autor:in ) / Siekacz, M. ( Autor:in ) / Cywinski, G. ( Autor:in ) / Wolny, P. ( Autor:in ) / Skierbiszewski, C. ( Autor:in ) / Gil, Bernard / Hoffmann, Axel
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Kongress:Symposium F, Group III nitrides and their heterostructures for electronics and photonics; E-MRS ICAM IUMRS 2011 spring meeting: symposium F : Group III nitrides and their heterostructures for electronics and photonics / ; 2011 ; Nice, France
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Erschienen in:PHYSICA STATUS SOLIDI C CONFERENCES ; 9, 3-4 ; 1092-1095
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Verlag:
- Neue Suche nach: Wiley-VCH
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Erscheinungsdatum:01.01.2012
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Format / Umfang:4 pages
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Anmerkungen:ESTAR title.
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ISSN:
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Medientyp:Aufsatz (Konferenz)
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Format:Print
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Sprache:Englisch
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Schlagwörter:
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Datenquelle:
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