Electrical characterisation of GaN and AlGaN layers grown by plasma-assisted MBE (Englisch)
- Neue Suche nach: Kolkovsky, V.
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- Neue Suche nach: Weber, J.
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- Neue Suche nach: Gil, Bernard
- Neue Suche nach: Hoffmann, Axel
In:
Group III nitrides and their heterostructures for electronics and photonics; E-MRS ICAM IUMRS 2011 spring meeting: symposium F : Group III nitrides and their heterostructures for electronics and photonics /
3-4
;
1043-1047
;
2012
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ISSN:
- Aufsatz (Konferenz) / Print
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Titel:Electrical characterisation of GaN and AlGaN layers grown by plasma-assisted MBE
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Beteiligte:Kolkovsky, V. ( Autor:in ) / Scheffler, L. ( Autor:in ) / Sobanska, M. ( Autor:in ) / Klosek, K. ( Autor:in ) / Zytkiewicz, Z. R. ( Autor:in ) / Weber, J. ( Autor:in ) / Gil, Bernard / Hoffmann, Axel
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Kongress:Symposium F, Group III nitrides and their heterostructures for electronics and photonics; E-MRS ICAM IUMRS 2011 spring meeting: symposium F : Group III nitrides and their heterostructures for electronics and photonics / ; 2011 ; Nice, France
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Erschienen in:PHYSICA STATUS SOLIDI C CONFERENCES ; 9, 3-4 ; 1043-1047
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Verlag:
- Neue Suche nach: Wiley-VCH
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Erscheinungsdatum:01.01.2012
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Format / Umfang:5 pages
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Anmerkungen:ESTAR title.
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ISSN:
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Medientyp:Aufsatz (Konferenz)
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Format:Print
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Sprache:Englisch
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Schlagwörter:
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Datenquelle:
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