High-quality gate oxide formed at 150 ^oC for flexible electronics (Englisch)
- Neue Suche nach: Iijima, Y.
- Neue Suche nach: Usuda, R.
- Neue Suche nach: Uchida, K.
- Neue Suche nach: Nozaki, S.
- Neue Suche nach: Japan Society of Applied Physics
- Neue Suche nach: Iijima, Y.
- Neue Suche nach: Usuda, R.
- Neue Suche nach: Uchida, K.
- Neue Suche nach: Nozaki, S.
- Neue Suche nach: Takagi, Shinichi
- Neue Suche nach: Kageshima, Hiroyuki
- Neue Suche nach: Japan Society of Applied Physics
In:
Dielectric thin films for future electron devices: science and technology
8
;
08LC05
;
2014
-
ISSN:
- Aufsatz (Konferenz) / Print
-
Titel:High-quality gate oxide formed at 150 ^oC for flexible electronics
-
Beteiligte:Iijima, Y. ( Autor:in ) / Usuda, R. ( Autor:in ) / Uchida, K. ( Autor:in ) / Nozaki, S. ( Autor:in ) / Takagi, Shinichi / Kageshima, Hiroyuki / Japan Society of Applied Physics
-
Kongress:International workshop, Dielectric thin films for future electron devices: science and technology ; 2013 ; Tokyo
-
Erschienen in:JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS -NEW SERIES- ; 53, 8 ; 08LC05
-
Verlag:
- Neue Suche nach: Japan Society of Applied Physics
-
Erscheinungsort:Tokyo
-
Erscheinungsdatum:01.01.2014
-
Format / Umfang:08LC05
-
Anmerkungen:Also known as IWDTF2013.
-
ISSN:
-
Medientyp:Aufsatz (Konferenz)
-
Format:Print
-
Sprache:Englisch
-
Schlagwörter:
-
Datenquelle:
© Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.