Write-once memory effects observed in Ga-doped ZnO/organic semiconductor/MoO~3/Au structures (Englisch)
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In:
Recent advances in molecular electronics and bioelectronics
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03DC05-03DC05
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2016
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ISSN:
- Aufsatz (Konferenz) / Print
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Titel:Write-once memory effects observed in Ga-doped ZnO/organic semiconductor/MoO~3/Au structures
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Beteiligte:Hasegawa, Junya ( Autor:in ) / Nagase, Takashi ( Autor:in ) / Kobayashi, Takashi ( Autor:in ) / Naito, Hiroyoshi ( Autor:in )
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Kongress:Recent advances in molecular electronics and bioelectronics ; 2015 ; Tokyo
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Erschienen in:Recent advances in molecular electronics and bioelectronics ; 03DC05-03DC05Japanese journal of applied physics ; 55 ; 03DC05-03DC05
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Verlag:
- Neue Suche nach: IOP Publishing
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Erscheinungsdatum:01.01.2016
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Format / Umfang:03DC05-03DC05
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ISSN:
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Medientyp:Aufsatz (Konferenz)
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Format:Print
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Sprache:Englisch
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Datenquelle:
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