Effect of Buffer Oxide Etchant (BOE) on Ti/Al/Ni/Au Ohmic Contacts for AlGaN/GaN Based HEMT (Englisch)
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- Neue Suche nach: Kravchenko, I.
In:
State-of-the-art program on compound semiconductors (Symposium)
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111-120
;
2015
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ISSN:
- Aufsatz (Konferenz) / Print
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Titel:Effect of Buffer Oxide Etchant (BOE) on Ti/Al/Ni/Au Ohmic Contacts for AlGaN/GaN Based HEMT
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Beteiligte:Hwang, Y. H. ( Autor:in ) / Ahn, S. ( Autor:in ) / Dong, C. ( Autor:in ) / Zhu, W. ( Autor:in ) / Kim, B. J. ( Autor:in ) / Ren, F. ( Autor:in ) / Lind, A. G. ( Autor:in ) / Jones, K. S. ( Autor:in ) / Pearton, S. J. ( Autor:in ) / Kravchenko, I. ( Autor:in )
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Kongress:State-of-the-art program on compound semiconductors (Symposium)
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Erschienen in:ECS transactions ; 69 ; 111-120
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Verlag:
- Neue Suche nach: The Electrochemical Society
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Erscheinungsdatum:01.01.2015
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Format / Umfang:10 pages
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ISSN:
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Medientyp:Aufsatz (Konferenz)
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Format:Print
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Sprache:Englisch
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Datenquelle:
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