Study on Effect of Proton Irradiation Energy in AlGaN/GaN Metal-Oxide Semiconductor High Electron Mobility Transistors (Englisch)
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In:
State-of-the-art program on compound semiconductors (Symposium)
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129-136
;
2015
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ISSN:
- Aufsatz (Konferenz) / Print
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Titel:Study on Effect of Proton Irradiation Energy in AlGaN/GaN Metal-Oxide Semiconductor High Electron Mobility Transistors
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Beteiligte:Ahn, S. ( Autor:in ) / Dong, C. ( Autor:in ) / Zhu, W. ( Autor:in ) / Kim, B. J. ( Autor:in ) / Hwang, Y. H. ( Autor:in ) / Ren, F. ( Autor:in ) / Pearton, S. J. ( Autor:in ) / Yang, G. ( Autor:in ) / Kim, J. ( Autor:in ) / Kravchenko, I. ( Autor:in )
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Kongress:State-of-the-art program on compound semiconductors (Symposium)
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Erschienen in:ECS transactions ; 69 ; 129-136
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Verlag:
- Neue Suche nach: The Electrochemical Society
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Erscheinungsdatum:01.01.2015
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Format / Umfang:8 pages
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ISSN:
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Medientyp:Aufsatz (Konferenz)
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Format:Print
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Sprache:Englisch
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Datenquelle:
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