Etch characteristics comparison of nanometer scale TiN hard masked MTJ stacks etched in a constant wave and pulse modulated plasma (Englisch)
- Neue Suche nach: Choi, J. S.
- Neue Suche nach: Hwang, S. M.
- Neue Suche nach: Lee, J. Y.
- Neue Suche nach: Cho, D. H.
- Neue Suche nach: Chung, C. W.
- Neue Suche nach: Choi, J. S.
- Neue Suche nach: Hwang, S. M.
- Neue Suche nach: Lee, J. Y.
- Neue Suche nach: Cho, D. H.
- Neue Suche nach: Chung, C. W.
In:
Dry process (International symposium)
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65-66
;
2016
- Aufsatz (Konferenz) / Print
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Titel:Etch characteristics comparison of nanometer scale TiN hard masked MTJ stacks etched in a constant wave and pulse modulated plasma
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Beteiligte:Choi, J. S. ( Autor:in ) / Hwang, S. M. ( Autor:in ) / Lee, J. Y. ( Autor:in ) / Cho, D. H. ( Autor:in ) / Chung, C. W. ( Autor:in )
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Kongress:Dry process (International symposium)
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Erschienen in:Proceedings of International Symposium on Dry Process ; 2016 ; 65-66
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Verlag:
- Neue Suche nach: Institute of Electrical Engineer of Japan
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Erscheinungsdatum:01.01.2016
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Format / Umfang:2 pages
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Medientyp:Aufsatz (Konferenz)
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Format:Print
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Sprache:Englisch
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Datenquelle:
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