Selectivity Tuning by Peroxide Concentration for the Selective Etching of SiGe20 to Si and SiGe40 to SiGe20 (Englisch)
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In:
16th International symposium on ultra clean processing of semiconductor surfaces, UCPSS 2023
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29-33
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2023
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ISSN:
- Aufsatz (Konferenz) / Print
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Titel:Selectivity Tuning by Peroxide Concentration for the Selective Etching of SiGe20 to Si and SiGe40 to SiGe20
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Beteiligte:Villanueva, F. J. Lopez ( Autor:in ) / Sebaai, F. ( Autor:in ) / Altamirano-Sanchez, E. ( Autor:in ) / Klipp, A. ( Autor:in )
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Kongress:16th International symposium on ultra clean processing of semiconductor surfaces, UCPSS 2023
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Erschienen in:16th International symposium on ultra clean processing of semiconductor surfaces, UCPSS 2023 ; 29-33Diffusion and defect data ; 346 ; 29-33
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Verlag:
- Neue Suche nach: Trans Tech Publications
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Erscheinungsdatum:01.01.2023
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Format / Umfang:5 pages
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ISSN:
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Medientyp:Aufsatz (Konferenz)
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Format:Print
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Sprache:Englisch
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Datenquelle:
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