Physics of semiconductor devices — Third edition (Englisch)
- Neue Suche nach: Sze, S. M.
- Weitere Informationen zu Sze, S. M.:
- http://d-nb.info/gnd/133681998
- Neue Suche nach: Ng, Kwok Kwok
- Weitere Informationen zu Ng, Kwok Kwok:
- http://d-nb.info/gnd/133688852
- Neue Suche nach: Sze, S. M.
- Weitere Informationen zu Sze, S. M.:
- http://d-nb.info/gnd/133681998
- Neue Suche nach: Ng, Kwok Kwok
- Weitere Informationen zu Ng, Kwok Kwok:
- http://d-nb.info/gnd/133688852
2007
-
ISBN:
- Buch / Print
-
Titel:Physics of semiconductor devices
-
Beteiligte:Sze, S. M. ( Autor:in ) / Ng, Kwok Kwok ( Autor:in )
-
Ausgabe:Third edition
-
Verlag:
- Neue Suche nach: Wiley-Interscience
-
Erscheinungsort:Hoboken, NJ
-
Erscheinungsdatum:2007
-
Format / Umfang:X, 815 Seiten
-
Anmerkungen:25 cm
Illustrationen
Literaturangaben -
ISBN:
-
Medientyp:Buch
-
Format:Print
-
Sprache:Englisch
- Neue Suche nach: 53.56 / 33.72
- Weitere Informationen zu Basisklassifikation
- Neue Suche nach: 537.622 / 621.3815 / 537.6/22
- Weitere Informationen zu Dewey Decimal Classification
-
Schlagwörter:
-
Klassifikation:
-
Datenquelle:
Inhaltsverzeichnis E-Book
Die Inhaltsverzeichnisse werden automatisch erzeugt und basieren auf den im Index des TIB-Portals verfügbaren Einzelnachweisen der enthaltenen Beiträge. Die Anzeige der Inhaltsverzeichnisse kann daher unvollständig oder lückenhaft sein.
- 1
-
IntroductionSze, S.M. / Ng, Kwok K. et al. | 2006
- 5
-
Physics and Properties of Semiconductors—A ReviewSze, S.M. / Ng, Kwok K. et al. | 2006
- 77
-
p‐n JunctionsSze, S.M. / Ng, Kwok K. et al. | 2006
- 134
-
Metal‐Semiconductor ContactsSze, S.M. / Ng, Kwok K. et al. | 2006
- 197
-
Metal‐Insulator‐Semiconductor CapacitorsSze, S.M. / Ng, Kwok K. et al. | 2006
- 241
-
Bipolar TransistorsSze, S.M. / Ng, Kwok K. et al. | 2006
- 293
-
MOSFETsSze, S.M. / Ng, Kwok K. et al. | 2006
- 374
-
JFETs, MESFETs, and MODFETsSze, S.M. / Ng, Kwok K. et al. | 2006
- 415
-
Tunnel DevicesSze, S.M. / Ng, Kwok K. et al. | 2006
- 466
-
IMPATT DiodesSze, S.M. / Ng, Kwok K. et al. | 2006
- 510
-
Transferred‐Electron and Real‐Space‐Transfer DevicesSze, S.M. / Ng, Kwok K. et al. | 2006
- 548
-
Thyristors and Power DevicesSze, S.M. / Ng, Kwok K. et al. | 2006
- 599
-
LEDs and LasersSze, S.M. / Ng, Kwok K. et al. | 2006
- 663
-
Photodetectors and Solar CellsSze, S.M. / Ng, Kwok K. et al. | 2006
- 743
-
SensorsSze, S.M. / Ng, Kwok K. et al. | 2006
- 773
-
Appendix A List of SymbolsSze, S.M. / Ng, Kwok K. et al. | 2006
- 785
-
Appendix B International System of UnitsSze, S.M. / Ng, Kwok K. et al. | 2006
- 786
-
Appendix C Unit PrefixesSze, S.M. / Ng, Kwok K. et al. | 2006
- 787
-
Appendix D Greek AlphabetSze, S.M. / Ng, Kwok K. et al. | 2006
- 788
-
Appendix E Physical ConstantsSze, S.M. / Ng, Kwok K. et al. | 2006
- 789
-
Appendix F Properties of Important SemiconductorsSze, S.M. / Ng, Kwok K. et al. | 2006
- 790
-
Appendix G Properties of Si and GaAsSze, S.M. / Ng, Kwok K. et al. | 2006
- 791
-
Appendix H Properties of SiO2 and Si3N4Sze, S.M. / Ng, Kwok K. et al. | 2006
- 793
-
IndexSze, S.M. / Ng, Kwok K. et al. | 2006
- i
-
FrontmatterSze, S.M. / Ng, Kwok K. et al. | 2006