Ferroelectric-gate field effect transistor memories : device physics and applications — Second edition (Englisch)
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2020
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ISBN:
- Buch / Elektronische Ressource
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Titel:Ferroelectric-gate field effect transistor memories : device physics and applications
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Beteiligte:Park, Byung-Eun ( Herausgeber:in ) / Ishiwara, Hiroshi ( Herausgeber:in ) / Okuyama, Masanori ( Herausgeber:in ) / Sakai, Shigeki ( Herausgeber:in ) / Yoon, Sung-Min ( Herausgeber:in )
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Erschienen in:Topics in applied physics ; volume 131
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Ausgabe:Second edition
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Verlag:
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Erscheinungsort:Singapore
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Erscheinungsdatum:2020
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Format / Umfang:1 Online-Ressource (XIV, 425 Seiten)
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Anmerkungen:313 Illustrationen
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Erworben aus Studienqualitätsmitteln -
ISBN:
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DOI:
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Medientyp:Buch
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Format:Elektronische Ressource
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Sprache:Englisch
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Schlagwörter:
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Klassifikation:
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Datenquelle:
Inhaltsverzeichnis E-Book
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Features, Principles, and Developments of Ferroelectric-Gate Field-Effect TransistorsOkuyama, Masanori et al. | 2020
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Development of High-Endurance and Long-Retention FeFETs of Pt/CaySr1−yBi2Ta2O9/(HfO2)x(Al2O3)1−x/Si Gate StacksTakahashi, Mitsue / Sakai, Shigeki et al. | 2020
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Downsizing of High-Endurance and Long-Retention Pt/CaySr1−yBi2Ta2O9/(HfO2)x(Al2O3)1−x/Si FeFETsTakahashi, Mitsue / Sakai, Shigeki et al. | 2020
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Nonvolatile Field-Effect Transistors Using Ferroelectric-Doped HfO2 FilmsSchroeder, Uwe / Slesazeck, Stefan / Mulaosmanovic, Halid / Mikolajick, Thomas et al. | 2020
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Switching in Nanoscale Hafnium Oxide-Based Ferroelectric TransistorsMulaosmanovic, Halid / Schroeder, Uwe / Mikolajick, Thomas / Slesazeck, Stefan et al. | 2020
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Oxide-Channel Ferroelectric-Gate Thin-Film Transistors with Nonvolatile Memory FunctionTokumitsu, Eisuke et al. | 2020
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ZnO/Pb(Zr,Ti)O3 Gate Structure Ferroelectric FETsKaneko, Yukihiro et al. | 2020
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Novel Ferroelectric Gate Field-Effect Transistors (FeFETs); Controlled Polarization-Type FeFETsFujimura, Norifumi / Yoshimura, Takeshi et al. | 2020
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Nonvolatile Ferroelectric Memory Transistors Using PVDF, P(VDF-TrFE) and Blended PVDF/P(VDF-TrFE) Thin FilmsHan, Dae-Hee / Park, Byung-Eun et al. | 2020
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Poly(Vinylidenefluoride-Trifluoroethylene) P(VDF-TrFE)/Semiconductor Structure Ferroelectric-Gate FETsFujisaki, Yoshihisa et al. | 2020
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P(VDF-TeFE)/Organic Semiconductor Structure Ferroelectric-Gate FETsKanashima, Takeshi / Okuyama, Masanori et al. | 2020
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Nonvolatile Ferroelectric Memory Thin-Film Transistors Using a Poly(Vinylidene Fluoride Trifluoroethylene) Gate Insulator and an Oxide Semiconductor Active ChannelYoon, Sung-Min et al. | 2020
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Mechanically Flexible Nonvolatile Field Effect Transistor Memories with Ferroelectric PolymersKim, Richard H. / Park, Cheolmin et al. | 2020
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Paper Transistors with Organic Ferroelectric P(VDF-TrFE) Thin Films Using a Solution Processing MethodHan, Dae-Hee / Park, Byung-Eun et al. | 2020
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Non-volatile Organic Ferroelectric Field-Effect Transistors Fabricated on Al Foil and Polyimide SubstratesHan, Dae-Hee / Kim, Min Gee / Park, Byung-Eun et al. | 2020
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Novel Application of FeFETs to NAND Flash Memory CircuitsSakai, Shigeki / Takahashi, Mitsue et al. | 2020
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Novel Applications of Antiferroelectrics and Relaxor Ferroelectrics: A Material’s Point of ViewPark, Min Hyuk / Hwang, Cheol Seong et al. | 2020
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Polymorphism of Hafnia-Based Ferroelectrics for Ferroelectric Field-Effect TransistorsPark, Min Hyuk et al. | 2020
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Adaptive-Learning Synaptic Devices Using Ferroelectric-Gate Field-Effect Transistors for Neuromorphic ApplicationsYoon, Sung-Min / Ishiwara, Hiroshi et al. | 2020
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FeFETs for Neuromorphic SystemsMulaosmanovic, Halid / Mikolajick, Thomas / Slesazeck, Stefan et al. | 2020
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Applications of Oxide-Channel Ferroelectric-Gate Thin-Film TransistorsTokumitsu, Eisuke / Shimoda, Tatsuya et al. | 2020